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我们提供多种解决方案，适用于超导量子比特和量子电路：
我们成功地通过带电的等离子体ALD（原子层沉积）方法，沉积了超导性的TiN薄膜，通过带电过程来精确调节薄膜的性质，例如室温电阻率。因此，在250 C 下沉积的90纳米薄膜的临界温度达到了3K。
(图片来源： 格拉斯哥大学)
我们已经开发了一种用于高温运行超导互连的NbN等离子体原子层沉积工艺
添加少量偏压可以提高NbN薄膜的电阻率。
改变等离子体功率是另一种调整沉积NbN应力的方法。
单层或叠层刻蚀可实现：
200纳米Nb刻蚀
光刻胶掩膜完全去除
200纳米Mo刻蚀
光刻胶掩膜部分去除
垂直Al/Al2O3/Al隧穿结构多层刻蚀
将等离子体ALD（PE-ALD）的优势与集群系统的能力与其他技术相结合，释放出独特的能力。
在生长高质量PE-ALD Al2O3之前，可通过以下方式去除非晶态氧化物：
（图片来源：Jinesh等人，2011）
我们提供两种刻蚀工艺，用于制造垂直TSV，从而实现基于3D架构的超导量子电路的扩展：
The PlasmaPro ASP原子层沉积系统能够以超过25纳米/小时的速率将符合要求的超导性氮化物沉积到TSV中。
Bosch刻蚀用于TSV
低温刻蚀用于超光滑的侧壁特征
这些解决方案由PlasmaPro ASP和PlasmaPro 100沉积和蚀刻系统提供，能够生产小至200毫米晶圆的试样，并可集群以提高产量和避免真空中断。
我们的PlasmaPro 100平台能够高精度地沉积和刻蚀各种材料，适用于量子器件。
PlasmaPro ASP原子层沉积（ALD）系统经过精心设计，以确保高质量材料能够以灵活的方式沉积，运行多种化学反应，以提供优质的薄膜，用于器件集成。PlasmaPro ASP已经添加到Atomfab®产品系列平台中，以提供快速和低损伤的远程等离子体增强ALD。
牛津仪器在为快速发展的应用领域提供尖端解决方案方面具有悠久的历史，这些解决方案是量子技术的关键推动力，不仅限于器件制造解决方案。
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