面向下一代量子技术应用的领先解决方案

我们为超导量子比特与量子电路提供多种解决方案：

• NbN、TiN等超导氮化物的ALD
• Al₂O₃、AlN等隧穿势垒层的ALD
• 超导金属及氮化物的等离子体刻蚀
• 用于三维集成的穿透硅通孔（TSV）深硅刻蚀

在这些解决方案和专业知识的背后，是牛津仪器多年来致力于对超导量子电路元器件沉积和刻蚀工艺的不断研究。

我们为光量子集成电路提供三种关键制备工艺：

• 超导纳米线单光子探测器（SNSPDs）中超导氮化物的原子层沉积
• 低损耗Si₃N₄波导的高温、无SiH₄/NH₃的PE（ICP）CVD
• 光学元件（如光栅、波导）的等离子体刻蚀

牛津仪器 FlexAL and PlasmaPro 100 沉积与刻蚀系统使上述解决方案成为可能。该系统能够在200mm晶圆上进行小批量生产，可通过工艺模块的集群化来提高产量，并维持真空工艺环境。牛津仪器 PlasmaPro 100平台能够为多种量子器件材料提供高精度沉积和刻蚀解决方案。

面向当今量子技术研发和设备开发中的多种实施方案，我们针对其各种器件制备中的工艺挑战提供关键解决方案。

长期以来，牛津仪器为这一快速发展的应用领域提供最先进的解决方案。它们不仅仅是器件制备解决方案，也是量子技术的关键推动力。