反应离子刻蚀(RIE)

反应离子刻蚀（或RIE）是一种操作简单、经济实惠的通用等离子体刻蚀解决方案。一个射频等离子体源即可决定离子密度和能量。

我们的 RIE模块可为各种工艺提供各向异性的干法刻蚀。

白皮书

网络研讨会

RIE的特点：

固态射频发生器和紧密耦合的匹配网络可实现快速一致的刻蚀
全面积工艺气体入口喷淋头，可实现均匀的气体分布
适用温度范围为-150ºC至+400ºC的电极
高抽气能力提供宽广的工艺压力窗口
采用He背面冷却的晶片夹持技术，可实现最佳晶片温度控制

可刻蚀的材料范围广泛，包括：

介电材料（SiO2、SiNx等）
硅基材料（Si，a-Si，poly Si）
III-V材料（GaAs、InP、GaN等）
溅射金属（Au、Pt、Ti、Ta、W等）
类金刚石碳（DLC）

	PlasmaPro 80	PlasmaPro 100	PlasmaPro 800
电极尺寸	240mm	240mm	460mm
装载方式	开放装载	装载锁或盒式	开放装载
基底	最大尺寸240mm	可选带载具选项的200mm，用于多晶圆或小片	最大尺寸460mm
MFC控制的气体管路	8或12线气体箱可用
晶圆台温度范围	-150°C 到 400°C	-150°C 到 400°C	10°C 到 80°C
He背面冷却选项	是	是	否
ICP选项	是	是	否
聚焦等离子体	是	否	是

我们有幸与来自伦敦大学学院（UCL）的UCLQ博士后研究员Dr. Oscar Kennedy和高级研究员Dr. Wing Ng就他们的最新研究项目以及他们如何使用我们的PlasmaPro® 80 RIE系统进行了讨论。

Dr. Oscar Kennedy已经使用PlasmaPro RIE系统通过刻蚀超导NbN薄膜来创建超导电路，而Dr. Wing Ng则使用RIE系统来精确加工波导之间具有光滑侧壁的50纳米间隙，用于芯片光缓冲器。阅读案例研究以了解更多信息。阅读案例研究以了解更多信息。

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