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功率器件的工艺解决方案

高效的电力开关与转换器件被应用于诸如电动汽车和局域发电以及配电网络等新技术中。通过使用诸如SiCGaN之类的材料来提高器件性能意味着更低的能量损耗。牛津仪器公司深知如何通过其原子层沉积等离子体刻蚀等离子体沉积的工艺解决方案制造更优化的器件。

功率器件的解决方案

  • 我们的 原子层沉积 (ALD) 工艺可在GaN / AlGaN上提供优异的钝化层,从而减少了阈值电压的漂移;
  • 我们的 GaN etch 刻蚀工艺经过优化,可减少等离子体损伤并形成光滑的刻蚀剖面;
  • 刻蚀速率可以被控制到仅仅几纳米/分钟,对 AlGaN 材料的破坏程度极低,蚀刻精度可控制在 10-30nm 范围内。
  • SiC 通孔刻蚀工艺 可实现高速率以及优异的侧壁质量;
  • SiC 特征结构刻蚀工艺 能实现光滑的刻蚀表面,以获得更佳的器件性能。
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