全球客户支持

Oxford Instruments致力于为全球客户提供全面、灵活和可靠的支持。我们可在贵司系统的整个生命周期内提供优质服务。

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• 可根据预算和具体情况提供支持合同
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白皮书:
应用于GaN HEMT功率电子器件的ALD和ALE技术

正在开发新的GaN功率电子器件，以用于功率转换和输送。GaN的高迁移率和击穿电压使其成为功率器件的理想材料。有几种方法可制造此类器件，其中一种常见方法是使用AlGaN阻挡层的凹槽刻蚀。此外，栅极介电层需限制泄漏电流。

网络研讨会:
使用ATOMFAB ALD实现的的GaN器件的栅极介电层

从2019年7月开始可随时根据需要观看本次网络研讨会。我司的ALD专家Aileen O'Mahony博士已开设GaN ALD课程。我司探讨了关于客户如何实现优异的均匀性，优化工艺条件，降低衬底损伤，提高材料质量和器件性能，以及实现保形沉积的话题。网络研讨会还包括对Atomfab ALD系统的介绍。