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PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE Etch

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系统利用高密度电感耦合等离子体实现快速刻蚀速率。该工艺模块可提供出色的均匀性、高吞吐量、高精度和低损伤工艺,适用于最大尺寸为200毫米的晶圆,支持包括GaAs和InP激光光电子、SiC和GaN电力电子/射频以及MEMS和传感器在内的多个市场领域。

  • 高刻蚀速率和高选择性

  • 低损伤刻蚀和高可重复性加工

  • 单晶圆装载锁定或可与多达5个工艺模块集群

  • He背面冷却,以实现最佳温度控制

  • 宽温度范围电极,-150°C至400°C

    • 与所有最大尺寸为200毫米的晶圆兼容

  • 晶圆尺寸之间的快速转换

  • 原位腔室清洁和终点控制功能


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Cobra® ICP等离子体源可在低压条件下产生高密度活性物质。基片直流偏压由独立的射频发生器驱动,可根据工艺要求独立控制自由基和离子。

牛津仪器的PlasmaPro 100工艺模块提供了一个最大为200毫米的平台,具备单晶圆和多晶圆批处理的能力。这些工艺模块具有高吞吐量、高精度和出色的均匀性,能够实现干净、光滑的垂直轮廓和刻蚀表面。我们的系统在大批量制造 (HVM) 领域拥有广泛的安装基础,并提供完善的工艺解决方案。

特色

  • 通过腔室中的均匀高传导通路将反应性粒子传递到基板 - 允许高气体流量的同时维持低室内压力,从而为先进应用开发提供宽广的工艺窗口
  • 宽温度范围电极,可以通过流体循环冷却装置冷却至-20°C和液氮冷却至-150°C,或通过电阻加热升温至400°C - 可选的排气和液体交换单元可自动切换模式,-20°C至-150°C的转换仅需10分钟
  • 流体控制电极由一个再循环冷却器装置供给 - 极佳的基底温度控制l
  • ICP源尺寸可选65mm或300mm - 300mm源可提供高达200mm晶圆的卓越工艺均匀性
  • 采用He背面冷却的晶圆夹持 - 最佳晶圆温度控制

应用

  • 丰富的 III-V 刻蚀工艺库
  • 用于量子器件的NbN和Ta材料
  • 复合半导体应用领域:
  • 广泛的金属刻蚀工艺库: 铝、铬、镍等
  • SiOx和SiO2刻蚀
  • 熔融石英和石英刻蚀
  • 硅刻蚀
  • SiO2 和 SiNx 硬掩膜刻蚀

晶圆尺寸:最大可达200mm

ICP源尺寸可选:65mm和300mm

温度范围:从-150°C到400°C

集群:多达5个模块,包括 ALD、PECVD、离子束刻蚀和离子束沉积等技术

PlasmaPro 100手册
网络研讨会:用于InP器件的等离子体工艺
白皮书:InP激光二极管器件生产:DFB光栅刻蚀
下载手册

案例研究

我们与格拉斯哥大学的两位研究人员进行了高度信息丰富的交流,他们分享了在该大学的先进James Watt纳米制造中心(JWNC)洁净室中进行的创新项目。

Jharna Paul博士和Valentino Seferai使用牛津仪器PlasmaPro® 100 Cobra ICP RIE系统来制备超导量子比特。

"我们使用牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra ICP刻蚀系统,因为您可以有效地控制等离子体、功率、气体传送、室内压力和基板温度。"格拉斯哥大学研究副教授Jharna Paul博士。


推荐信

"使用PlasmaPro 100 ICP Cobra,我们可以在晶圆上获得非常光滑的表面和侧壁刻蚀,还可以制造更深的结构。甚至我们需要用于紫外LED的硬铝氮化物现在也可以加工成形。"

布伦瑞克工业大学(TU Braunschweig)高级研究小组领导Jana Hartmann博士

"CP系统有效控制刻蚀速率,使工艺更加稳定。"

格拉斯哥大学博士生Valentino Seferai

全球客户支持

牛津仪器致力于提供全面、灵活和可靠的全球客户支持。我们在系统的整个生命周期内提供优质服务。

  • 远程诊断软件提供快速和简便的故障诊断和解决方案。
  • 可根据预算和实际情况签订支持合同。
  • 在全球战略位置提供备件,以实现快速响应。
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新功能:PTIQ软件

PTIQ是用于PlasmaPro和Ionfab加工设备的最新智能软件解决方案。

● 灵敏的系统控制水平

● 优化系统和工艺性能

● 提供不同级别的软件以满足您的需求

● 全新的直观布局和设计

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选项

其他PlasmaPro 100系统包括:

PlasmaPro 100 RIE

  • RIE模块提供各向异性干法刻蚀,适用于各种工艺。

PlasmaPro 100 ICPCVD

  • ICP CVD工艺模块旨在利用低沉积压力和温度下的高密度等离子体,在室温到400°C的温度范围内生产高质量薄膜。

PlasmaPro 100 PECVD

  • PECVD工艺模块专门设计用于生产具有优越均匀性和高速率的薄膜,并能够控制薄膜特性,如折射率、应力、电特性和湿化学刻蚀速率。

升级/配件

气体储存舱(Gas pod):包括额外的气体管路,提供更大的灵活性。

Logviewer软件:数据记录软件,允许实时绘图和运行后的分析。

光学终点检测器:用于实现最佳工艺结果的重要工具。

软泵(Soft pump):用于缓慢地抽真空室。

分子泵(Turbomolecular vacuum pump):提供卓越的抽真空速度和更高的吞吐量

X20控制系统:提供未来的、灵活的、可靠的工具,具有增强的系统智能。

Advanced Energy Paramount发生器:提供更高的可靠性和更稳定的等离子体。

自动压力控制:可确保非常快速和准确的压力控制。

双CM(电容式)压力表切换:通过单一的压力控制阀,提供利用两个不同范围电容式压力计的能力。

LN2自动切换装置:实现冷却液自动在液氮(LN2)和冷却器流体之间的切换。

TEOS液位传感:使用超声波液位传感器安装在TEOS罐上实现液位传感。

宽温度范围电极:通过重要的设计改进,以提高工艺性能。

相关应用

制造量子信息处理生物微机电制造
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