牛津仪器集团成员
扩展

PlasmaPro 100 Cobra

PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。

  • 电极的适用温度范围宽,-150°C至400°C

  • 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆

  • 快速更换到不同尺寸的晶圆工艺

  • 购置成本低且易于维护

  • 紧密的设计,布局灵活

  • 实时清洗和终点监测


询价 增加到询价列表

我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器,光电子,分立元器件和纳米技术。它具有研究和开发需要的灵活性, 同时具备量产所需要的质量可靠性。

牛津仪器的PlasmaPro 100系列具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力。该工艺模式可提供出色的均匀性,高产量和高精度的工艺。

通过均匀的高导通路径连接的腔室,将反应粒子输送到衬底 - 在维持低气压的同时,允许使用较高的气体通量

高度可变的下电极 - 充分利用等离子体的三维特性,在适合的高度条件下,衬底厚度最大可达10mm

电极的温度范围宽(-150°C至+ 400°C),可通过液氮,液体循环制冷机或电阻丝加热 - 可选的吹排及液体更换单元可自动进行模式切换

由再循环制冷机单元供给的液体控温的电极 - 出色的衬底温度控制

射频功率加载在喷头上,同时优化气体输送 - 提供具有低频/射频切换功能的均匀的等离子体工艺,可精确控制薄膜应力

ICP源尺寸为65mm,180mm,300mm - 确保最大200mm晶圆的工艺均匀性

高抽气能力 - 提供了更宽的工艺气压窗口

晶圆压盘与背氦制冷 - 更适合的晶片温度控制

  • III-V族材料的刻蚀工艺
  • 固体激光器InP刻蚀
  • VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
  • 射频器件低损伤GaN刻蚀
  • 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺
  • 类金刚石(DLC)沉积
  • 二氧化硅和石英刻蚀
  • 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺,可处理封装好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圆
  • 沉积高质量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜,用于光子学、电介质层、钝化等诸多其它用途
  • 用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀
Download PlasmaPro 100 brochure

选项

其它PlasmaPro 100 系统包括:

PlasmaPro 100 反应离子刻蚀

  • RIE模式可提供各向异性的干法刻蚀各式工艺。

PlasmaPro 100 ICPCVD

  • ICP CVD工艺模式旨在在低沉积压力和较低温度(室温至400°C)的环境下,利用高密度等离子体,生产高质量的薄膜。

PlasmaPro 100 PECVD

  • PECVD工艺模式特别为生产均匀性好且沉积速率高的薄膜而设计, 并且能够控制薄膜性能,如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率。

升级/配件

气柜 —— 包含额外的气体管线,提供更大的灵活性

Logviewer 软件 —— 数据记录软件允许实时绘图和事后分析

光学终点探测 —— 实现更好工艺结果的重要工具

前级减流阀 —— 允许腔室缓慢的开始抽真空

涡轮分子真空泵 —— 提供泵送速度加快气体的流动速度

X20控制系统 —— 提供具有前瞻性的,灵活可靠的设备,增强系统“智能性”

AE Paramount射频发生器 ——  提供更高的可靠性和更好的等离子体稳定性

自动压力控制 —— 该控制器可确保快速准确的压力控制

双CM表开关 —— 具有通过单个压力控制阀使用两个不同范围电容压力计的能力

LN2自动切换装置 —— 使工作台的冷却液能够在液氮(LN2)与制冷机模式之间自动切换

TEOS液位传感 —— 使用安装在TEOS罐上的超声波液位传感器实现液位传感

宽温度范围电极 —— 提高工艺性能的重要设计改进

相关应用

制造量子信息处理生物微机电制造
沪ICP备17031777号-1 公安机关备案号31010402003473