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PlasmaPro 100 PECVD

设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能,如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下,生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。

  • 高质量的薄膜,高产量和出色的均匀性

  • 电极的适用温度范围宽

  • 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆

  • 可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆

  • 成本低且易于维护

  • 电阻丝加热电极,最高温度可达400°C或1200°C

  • 实时监测清洗工艺, 并且可自动停止工艺


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  • 高质量PECVD沉积氮化硅 和 二氧化硅 用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途
  • 用于高亮度LED 生产的硬掩模沉积和刻蚀

通过均匀的高导通路径连接的腔室,将反应粒子输送到衬底

在维持低气压的同时,允许使用较高的气体通量

高度可变的下电极

充分利用等离子体的三维特性,在最优的高度条件下,衬底厚度最大可达10mm

电极的温度范围宽(-150°C至+ 400°C),可通过液氮,液体循环制冷机或电阻丝加热

可选的吹排及液体更换单元可自动进行模式切换

由再循环制冷机单元供给的液体控温的电极

出色的衬底温度控制

射频功率加载在喷头上,同时优化气体输送

提供具有低频/射频切换功能的均匀的等离子体工艺,可精确控制薄膜应力

ICP源尺寸为65mm,180mm,300mm 

确保最大200mm晶圆的工艺均匀性

高抽气能力

提供了更宽的工艺气压窗口

晶圆压盘与背氦制冷 

更好的晶片温度控制

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升级/配件

气柜 —— 包含额外的气体管线,提供更大的灵活性

Logviewer软件 —— 数据记录软件允许实时绘图和事后分析

光学终点探测 —— 实现更佳工艺结果的重要工具

前级减流阀 —— 允许腔室缓慢的开始抽真空

涡轮分子真空泵 —— 提供泵送速度加快气体的流动速度

X20控制系统 —— 提供具有前瞻性的,灵活可靠的设备,增强系统“智能性”

AE Paramount射频发生器 —— 提供更高的可靠性和更好的等离子体稳定性

自动压力控制 —— 该控制器可确保快速准确的压力控制

双CM表开关 —— 具有通过单个压力控制阀使用两个不同范围电容压力计的能力

LN2自动切换装置 —— 使工作台的冷却液能够在液氮(LN2)与制冷机模式之间自动切换

TEOS液位传感 —— 使用安装在TEOS罐上的超声波液位传感器实现液位传感

宽温度范围电极 —— 提高工艺性能的重要设计改进

相关应用

制造量子信息处理光发射装置制造和表征生物微机电制造
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