二维（2D）材料存在于非常薄的尺度之下，其厚度可薄至单原子尺寸极限。这些材料展现了超强的电子和光电特性，研究人员目前正致力于利用其特性开发下一代新器件。

牛津仪器提供的解决方案使诸多此类创新成为可能，等离子体刻蚀和沉积是制造半导体器件的基石技术。使用等离子体增强 CVD 和 ALD, 制造出令人着迷的新 2D材料 ，诸如石墨烯和MoS2，可以进一步延展器件的性能极限。

牛津仪器提供工艺和设备以应对下述制程的挑战：

• 通过化学气相沉积进行及相关材料的生长/沉积：热增强和等离子体增强 (CVD, PECVD, ICPCVD)；
• 除石墨烯以外的二维材料的 原子层沉积  ；
• 原子层刻蚀 (ALE), 例如MoS2；
• 反应离子蚀刻 (RIE/ ICP RIE)，以创建器件通道/平台/纳米结构。