射频解决方案

牛津仪器拥有一系列适用于制造半导体射频器件的加工设备

• 我们的 原子层沉积 (ALD) 工艺通过出色的钝化减少了 GaN/AlGaN 的阈值电压漂移。
• 我们功率器件 GaN etch 蚀刻工艺经过优化，可以减少等离子造成的损伤并形成光滑的蚀刻剖面。
• 蚀刻速率仅数纳米/分钟，对 AlGaN 材料的破坏程度极低，蚀刻精度可控制在 10-30nm 范围内。
• SiC via etch 孔蚀刻速率快，蚀刻后的侧壁质量精细。
• SiC 典型蚀刻蚀刻面平滑规整，从而使设备性能达到更佳状态。