PlasmaPro ASP

PlasmaPro ASP基于经过生产验证的企业/专业研发平台，旨在形成可集成到器件中的优质薄膜。它足够灵活，可以进行多种化学反应，并可实现高速、高质量的薄膜沉积。其中，我们最先进的等离子体增强型原子层沉积（ALD）系统提供了原子层沉积的灵活性、一致性和可调性，以快速实现更高产量和更厚的薄膜。

比传统远程等离子体快3倍
减少前驱体消耗，环保且运行成本低
高质量的材料
使用成本低
提高适用性和可维护性
低容积腔室，速度更快
对基底的破坏小
工艺稳定性高

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PlasmaPro ASP 与 Atomfab 共享一个平台，可提供快速、低损耗的远程等离子体增强型ALD。与热ALD和直接等离子体ALD相比，远程等离子体ALD将提供更优越的设备性能。它结构紧凑，不仅限制了有效腔室容积以实现快速气体交换，而且在整个直径为200 毫米的晶圆范围内均有效。

拥有高速远程等离子体源
- 高密度、均匀的自由基和低离子能量，可实现低损伤、快饱和
- 采用 PLC 和 AMU 控制，可实现快速处理
拥有卓越的前驱体和工艺控制
- 多达6种前驱体(鼓泡或蒸汽吸取)

晶圆电极
- 适用于带偏压的200毫米晶圆电极
- 沉积温度最高可达400°C
- 拥有200°C 的加热内腔
控制系统
- 易于维护，简化布线
- 改进了服务诊断功能
- 集成电子元件

低损伤GaN HEMT钝化层可用于电力电子和射频器件

采用全金属等离子源的低氧含量导电氮化物可实现快速循环，适用于量子器件

低损伤的石墨烯封装可用于数据通信

图片（上）：使用 PlasmaPro ASP 在纵横比为 8:1 的沟槽中沉积 130 纳米厚的保形超导铌镍。

图片（左）：使用 PlasmaPro ASP 在纵横比为 32:1 的沟槽中沉积450纳米厚的保形二氧化硅。

参数	PlasmaPro ASP
前驱体生产线	最多 6 个（任意组合）
前驱体大小（毫升）	200
前驱体类型	抽蒸汽 - 冷却抽蒸汽 - 加热鼓泡 - 加热
操作	负载锁定
气舱	4 个流程 + 1 个氩气（机载）
电极	400 °C 接地/偏压
粗抽泵	600 m³/hr
合规性	符合 UL 标准，专为 SEM 2S 设计
软件	PTIQ
PEALD 工艺库	Al₂O₃, SiO₂, NbN, TiN, 更多种类正在开发中

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Case Study

We collaborate for over 15 years with Eindhoven University of Technology (TU/e) and together we continue to make significant progress in Atomic Layer Deposition (ALD) research which is one of the most rapidly evolving techniques used in many applications of nanofabrication.

We are very pleased to present the research projects of two PhD students from TU/e who have used Oxford Instruments’ FlexAL ALD system featuring a remote inductively coupled plasma source, enabling high-quality deposition. Using advanced plasma ALD technology, Karsten Arts has achieved conformal deposition on high aspect ratio features and Marc Merkx has achieved highly selective growth of Titanium Nitride (TiN).