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离子束沉积(IBD)和反应离子束沉积(RIBD)

离子束轰击和溅射出的靶材物质将覆盖于倾斜放置的面向靶材的衬底之上。而沉积膜的性质取决于靶材材料的性质, 离子溅射束流的诸多参数(通量,能量等等)以及腔室离子源 ——靶标——衬底的配置。 离子束沉积有以下两种方式:

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要点

  • 可独立控制束流能量和离子通量
  • 可在较低气压的工作环境中进行工艺
  • 为各种材料提供良好的化学计量比控制
  • 减少沉积膜中的孔隙率和含气率
  • 可以沉积高质量的光学薄膜和其它具有超光滑表面的薄膜
  • RIBD可以沉积不同的材料,控制薄膜的化学计量比以及通过使用反应粒子进行衬底的预清洗
  • 举一个RIBD的应用实例,在VOX的沉积中,必须高度精确地控制工艺气体的比例,以期得到特定的热电性能,从而满足高灵敏度热成像应用的要求。

主要优势

  • 高质量、低杂质薄膜
  • 设备产能高,占地面积小,运行费用低
  • 出色的同批之间的均匀性和批与批之间的重复性
  • 已获得专利的高速衬底座(转速高达500RPM)配以能精准地实时控制光学薄膜的白光光学监视器(WLOM)
  • 更低的表面粗糙度

沉积离子源的特点

沉积离子源:15cm,56 MHz驱动

  • 气体进气口通过离子源、辅助源后进入腔室
  • 携带旋转快门的多个靶材
  • 多尺寸溅射靶以及与之相匹配的沉积离子源栅片设计
  • 可旋转和倾斜的高速衬底托盘
Ionfab 300
Ion deposition source  150mm
Deposited area Up to 200mm
Number of targets Up to 4 targets
Platen size  Up to 8 inch wafer
End product detection  Dual Xtal monitors
Platen rotation Up to 500rpm
Platen tilt angle  -90ºC to +75ºC
Platen heat Embedded heaters up to 300ºC
Platen cooling Helium
Assist or pre-clean source 150mm and 300mm RF ion source
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