离子束沉积（IBD）和反应离子束沉积（RIBD）

离子束轰击和溅射出的靶材物质将覆盖于倾斜放置的面向靶材的衬底之上。而沉积膜的性质取决于靶材材料的性质，离子溅射束流的诸多参数（通量，能量等等）以及腔室离子源 ——靶标——衬底的配置。离子束沉积有以下两种方式：

IBD使用带电的非反应离子
RIBD使用反应粒子来改变薄膜性质。

特点及优势
设备

主要优势

高质量、低杂质薄膜
设备产能高，占地面积小，运行费用低
出色的同批之间的均匀性和批与批之间的重复性
高速衬底座（转速高达500RPM）配以能精准地实时控制光学薄膜的白光光学监视器（WLOM）
更低的表面粗糙度

沉积离子源的特点

沉积离子源：15cm，56 MHz驱动

气体进气口通过离子源、辅助源后进入腔室
携带旋转快门的多个靶材
多尺寸溅射靶以及与之相匹配的沉积离子源栅片设计
可旋转和倾斜的高速衬底托盘

	Ionfab 300
Ion deposition source	150mm
Deposited area	Up to 200mm
Number of targets	Up to 4 targets
Platen size	Up to 8 inch wafer
End product detection	Dual Xtal monitors
Platen rotation	Up to 500rpm
Platen tilt angle	-90ºC to +75ºC
Platen heat	Embedded heaters up to 300ºC
Platen cooling	Helium
Assist or pre-clean source	150mm and 300mm RF ion source

沪ICP备17031777号-1

公安机关备案号31010402003473