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Inductively Coupled Plasma Chemical Vapour Deposition (ICPCVD)

电感耦合等离子体源中高密度等离子体的产生意味着该技术能在低温下实现高质量低损伤的介质薄膜沉积。低温沉积意味着可以成功地处理温度敏感的薄膜和器件。

要点

  • 独立控制离子能量和离子电流密度
  • 典型工艺压力:1~10毫乇
  • 等离子体密度: >1011 cm-3
  • 等离子体与衬底相接触
  • 沉积过程中的低能量离子电流
  • ICP功率 控制离子电流(等离子体密度)
  • ESS(静电屏蔽),产生纯感应等离子体
  • ICP是全自动的(两个射频自动匹配器)
了解更多信息
  • 在低温度的条件下可沉积优质低损伤的薄膜
  • 在衬底温度低至5ºC的条件下,可沉积的典型材料包括SiO2、Si3N4、SiON,Si和SiC
  • ICP源的尺寸有65mm,180mm,300mm,可在最大200mm的晶圆上保证工艺的均匀性
  • 电极温度范围:5ºC至400ºC
  • 已获得专利的ICPCVD气体分布技术
  • 利用实时终点监控进行腔室清洗

PlasmaPro 80 PlasmaPro 100
Electrode size  240mm
Wafer size Up to 200mm
Loading  Open Load Load locked or cassette
Substrates 50mm wafers  Up to 200mm with carriers options available for multi-wafers or small pieces
Dopants  No Various dopants available which include PH<sub>3</sub>, B<sub>2</sub>H<sub>6</sub>, GeH<sub>4</sub>
Liquid precursors No
MFC controlled gas lines 8 or 12 line gas box available 
Wafer stage temperature range  20°C to 400°C 0°C to 400°C
In situ plasma clean  Yes

我们开发的ICPCVD等离子体清洗方案保证了在两次机械清洗之间的沉积重复性和减少了杂质颗粒。

  • 节省清洗时间
  • 通过可选的交错式清洗提高利用率
  • 精准的终点监控可减少腔室组件的过度刻蚀并延长其使用寿命

高速清洗工艺特点:

  • 系统利用率 > 70%

  • SF6/N2O混合气体

  • 优化了的终点控制

  • 等离子清洗可提升光学信号的强度,进而提高终点信号的强度/分辨率

  • 所需的等离子清洗时间取决于沉积的薄膜材料、薄膜质量和薄膜厚度

交错式清洗模式

  • 设备利用率高
  • 高度可重复的沉积速率
  • 处理每片晶圆后的清洗过程可以保证生成较少的杂质颗粒数
  • 两次机械清洗的间隔为 >50微米

ICPCVD Systems

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