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反应离子刻蚀(RIE)

RIE是一种操作简单且经济实用的通用等离子体刻蚀手段。单射频等离子体源同时决定了离子密度和能量。

RIE

要点

选择多种类型的刻蚀工艺:

  • 化学刻蚀——各向同性,高速率
  • 离子诱导刻蚀——各向异性,中等速率
  • 物理刻蚀——各向异性,低速率
  • 广泛应用于反向解剖工艺和失效分析中
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RIE 特点:

  • 固态射频发生器和近距离耦合匹配网络,可实现快速且一致的刻蚀
  • 全局域的工艺气体进气喷头实现了均匀的气体分布
  • 电极温度:-150℃至+400℃
  • 高抽气速率能够提供较宽的工艺气压窗口
  • 晶圆压盘与背氦制冷提供了更佳的晶片温度控制

可刻蚀多种材料,包括:

  • 介电材料(SiO2、SiNx等)
  • 硅基材料(Si,a-Si,poly Si)
  • III-V材料(GaAs、InP、GaN等)
  • 溅射金属(Au、Pt、Ti、Ta、W等)
  • 类金刚石(DLC)
PlasmaPro 80
PlasmaPro 800
PlasmaPro 100
Electrode size 240mm 460mm 240mm
Loading Open load
Load locked or cassette
Substrates Up to 240mm
Up to 460mm
200mm with carriers options available for multi-wafers or small pieces
MFC controlled gaslines 8 or 12 line gas box available
Wafer stage temperature range -150°C to 400°C
10°C to 80°C -150°C to 400°C
He Back side cooling option Yes No Yes
ICP Option Yes No Yes
Focused Plasma Yes No

RIE Systems

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