反应离子刻蚀（RIE）

RIE是一种操作简单且经济实用的通用等离子体刻蚀手段。单射频等离子体源同时决定了离子密度和能量。

特点及优势
Hardware

RIE 特点：

固态射频发生器和近距离耦合匹配网络，可实现快速且一致的刻蚀
全局域的工艺气体进气喷头实现了均匀的气体分布
电极温度：-150℃至+400℃
高抽气速率能够提供较宽的工艺气压窗口
晶圆压盘与背氦制冷提供了更佳的晶片温度控制

可刻蚀多种材料，包括：

介电材料（SiO2、SiNx等）
硅基材料（Si，a-Si，poly Si）
III-V材料（GaAs、InP、GaN等）
溅射金属（Au、Pt、Ti、Ta、W等）
类金刚石（DLC）

	PlasmaPro 80	PlasmaPro 800	PlasmaPro 100
Electrode size	240mm	460mm	240mm
Loading	Open load		Load locked or cassette
Substrates	Up to 240mm	Up to 460mm	200mm with carriers options available for multi-wafers or small pieces
MFC controlled gaslines	8 or 12 line gas box available
Wafer stage temperature range	-150°C to 400°C	10°C to 80°C	-150°C to 400°C
He Back side cooling option	Yes	No	Yes
ICP Option	Yes	No	Yes
Focused Plasma	Yes		No

沪ICP备17031777号-1

公安机关备案号31010402003473