牛津仪器集团成员
扩展
工艺解决方案
芯片失效分析应用的工艺解决方案

我们为失效分析(FA)干法刻蚀的逆工艺处理提供行业先进的工艺和设备。

成品率管理是制造业的一个关键因素。为了提高成品率,一个关键技术是对失效芯片或晶片进行解剖工艺处理,找出并分析失效点以便工艺改进。

工艺解决方案

  • 各向同性的去除有机物 (RIE 或 ICP 模式)
  • 各向同性的去除氮化物 (PE 或 ICP 模式)
  • 各向异性的去除 SiO2 (IMD/ILD)  (RIE 或 ICP 模式)
  • 各向异性的去除低K值 SiO2 (RIE 或 ICP 模式)
获取更多信息
  • 各项异性的去除介质层,保留金属架构 (RIE 或 ICP 模式)
  • 多晶硅去除 (RIE 模式)
  • 铝和铜去除 (ICP 模式)
  • 背面衬底硅去除 (ICP 模式)

随着芯片架构变得更加三维化,为了进行分析或缺陷识别,对芯片进行合适的处理就变得更具挑战性。等离子体辅助刻蚀和沉积技术可以确保获得准确、快速的结果。

牛津仪器灵活的失效分析(FA)设备可兼容多种工艺,既能够处理微小尺寸的裸芯,也能处理经封装后的器件乃至300mm的整片晶圆。 优异的工艺控制意味着不会给金属导电轨道带来任何损伤。

Failure Analysis products

沪ICP备17031777号-1 公安机关备案号31010402003473