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Chemical Vapour Deposition (CVD)

CVD是一种成熟的技术,用于沉积各种不同组份和厚度的,甚至可以沉积低至几个原子层厚度的。

要点

  • 晶片衬底直接放在电极上, 可加热至1200˚C
  • 通过上电极的“喷头”将气体注入工艺腔室
  • 固/液态源被应用于新工艺中,如MOCVD、氧化锌CVD等
  • 带预真空室和自动传送样品到加热的工作台上,节省了加热和冷却的时间
  • 等离子增强型选项,可用于沉积、材料的等离子辅助转化或功能化,以及腔室清洗
  • 在同一腔室内可实现多种工艺
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  • 下电极温度最高可达1200˚C
  • 直接和远程等离子增强选项
  • 工作气压高达5乇(或者更高)
  • 采用终点控制的干法等离子清洗工艺可免除或减少对腔室的物理/化学清洗
  • 除了12个气体输送管路以外,还配有多路可加热/冷却的液体/固体源
  • 提供多种材料的沉积,包括
    • 硅基PECVD / ICP CVD工艺以及在同一腔室内,进行高温CVD工艺
    • 一维材料生长,如碳纳米管、氧化锌和硅
    • 生长,如石墨烯、hBN、MoS2 / WS2和其它过渡金属的二硫属化合物(TMDCs)
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700°C table 800°C table 1200°C table
Thin Film Process SiOx, SiNx, aSiC, aSi, μc-Si, polySi* SiOx, SiNx, aSiC, aSi, μc-Si, polySi SiOx, SiNx, aSiC, aSi, μc-Si, polySi
1D Nano materials MWNTs, Si, Ge NWs, ZnO NWs MWNTs, SWNTs, Si, Ge, ZnO NWs MWNTs, SWNTs, Si, Ge, ZnO NWs
2D Nano materials NA NCG, Vertical Graphene NCG, Vertical Graphene, BN, MoS<sub>2</sub> CVD Graphene
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CVD Systems

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