Chemical Vapour Deposition (CVD)

CVD是一种成熟的技术，用于沉积各种不同组份和厚度的，甚至可以沉积低至几个原子层厚度的。

下电极温度最高可达1200˚C
直接和远程等离子增强选项
工作气压高达5乇（或者更高）
采用终点控制的干法等离子清洗工艺可免除或减少对腔室的物理/化学清洗
除了12个气体输送管路以外，还配有多路可加热/冷却的液体/固体源
提供多种材料的沉积，包括

硅基PECVD / ICP CVD工艺以及在同一腔室内，进行高温CVD工艺
一维材料生长，如碳纳米管、氧化锌和硅
生长，如石墨烯、hBN、MoS2 / WS2和其它过渡金属的二硫属化合物（TMDCs）

domains on Copper foil. (Growth arrested before completion to visualise domains in SEM)

Graphene domains on Copper foil

CVD Growth of hBN

hBN CVD

CVD Growth of MoS₂

MoS₂ CVD

More 2D materials...

Nanofab https://plasma.oxinst.cn/products/nanoscale-growth/PlasmaPro-100-Nano	700°C table	800°C table	1200°C table
Thin Film Process	SiOx, SiNx, aSiC, aSi, μc-Si, polySi*	SiOx, SiNx, aSiC, aSi, μc-Si, polySi	SiOx, SiNx, aSiC, aSi, μc-Si, polySi
1D Nano materials	MWNTs, Si, Ge NWs, ZnO NWs	MWNTs, SWNTs, Si, Ge, ZnO NWs	MWNTs, SWNTs, Si, Ge, ZnO NWs
2D Nano materials	NA	NCG, Vertical Graphene	NCG, Vertical Graphene, BN, MoS<sub>2</sub> CVD Graphene

Download 2D Nanofab Brochure

CVD Systems

沪ICP备17031777号-1

公安机关备案号31010402003473