RIE/PE 在同一设备上有两种简单的等离子体生成技术。
利用反应离子刻蚀,可以实现速率更快的定向刻蚀,因为样品所在的表面具有能够从等离子体中吸引离子的加速电压。等离子体增强型刻蚀没有加速电压因而产生各向同性刻蚀。
 
    | PlasmaPro 80 | PlasmaPro 800 | |
| Electrode size | 240mm | 460mm | 
| Loading | Open Load | |
| Substrates | See product brochure | |
| MFC controlled gaslines | 4,8 or 12 line gas box available | |
| Wafer stage temperature range | -150ºC to 400ºC | 10°C to 80°C | 
| He Back side cooling option | Yes | No | 
| ICP option | Yes | No | 
| Focused plasma | Yes | |
 公安机关备案号31010402003473
    公安机关备案号31010402003473