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Reactive Ion Etch / Plasma Enhanced (RIE/PE)

RIE/PE  在同一设备上有两种简单的等离子体生成技术。

利用反应离子刻蚀,可以实现速率更快的定向刻蚀,因为样品所在的表面具有能够从等离子体中吸引离子的加速电压。等离子体增强型刻蚀没有加速电压因而产生各向同性刻蚀。

要点

  • 衬底下电极可冷却的
  • 上或者下电极由射频源驱动(13.56 MHz)
  • 自动转换
  • 莲蓬头式进气口(位于上电极)
  • 参数:气体流量、气压、射频功率
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  • 固态射频发生器和近距离耦合匹配网络,可实现快速且一致的刻蚀
  • 全局域的工艺气体进气喷头实现了均匀的气体分布
  • 电极温度:-150℃至+400℃
  • 高抽气速率能够提供较宽的工艺气压窗口
  • 晶圆压盘与背氦制冷提供了更佳的晶片温度控制

PlasmaPro 80
PlasmaPro 800
Electrode size 240mm 460mm
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Substrates See product brochure
MFC controlled gaslines 4,8 or 12 line gas box available
Wafer stage temperature range -150ºC to 400ºC
10°C to 80°C
He Back side cooling option Yes No
ICP option Yes No
Focused plasma Yes

RIE-PE Systems

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