量子技术的工艺解决方案

量子解决方案

牛津仪器等离子技术公司为量子系统关键部件的制造提供了最先进的工艺解决方案：

• 深硅刻蚀(DSiE）用于实现量子电路的三维集成的TSV的深刻硅刻蚀。DSiE通过Bosch或低温刻蚀SiNx、InP和GaAs，为光学量子技术中的集成光子组件提供平滑的侧壁刻蚀

• 原子层沉积（ALD）：
• 超导材料，用于量子位、量子电路、微波谐振器和单光子探测器，如NbN和TiN等
• 绝缘层材料（如Al₂O₃、AlN和TaN），用于Josephson结中的隧道屏障
• 将Al₂O₃作为钻石中光学元件制造的钝化层（微腔、纳米梁、波导等）
• PECVD 和 ICP-CVD低氢含量的SiNx的PECVD和ICP CVD，用于低损耗波导，SiNx用作钻石结构的硬掩膜
• 二维材料的CVD，用作单光子发射器，如WS₂ 和 MoS₂
• 超导金属的刻蚀例如Nb、Ta、Al
• 反应离子刻蚀(RIE)，可实现平滑、低损伤的金刚石减薄，其O端接可进一步保护NV中心

白皮书

网络研讨会