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原子层刻蚀(ALE)

ALE是一种先进的刻蚀技术,可以针对较浅的微结构进行出色的深度控制。 随着器件微结构尺寸越来越小,要达到器件的更高性能可以通过ALE技术所具有的精度来实现。

Atomic layer etching

要点

  • 低损伤
  • 高选择比
  • 准确的深度控制
  • 低功率工艺
  • 能够在ALE模式或者正常刻蚀模式下进行刻蚀
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Atomic layer etching: What for?

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Written by Dr Mike Cooke and Dr Andy Goodyear for Compound Semiconductor magazine


Atomic layer etching promises to improve the quality of GaN-based HEMTs and eradicate the damage associated with high etching rates

  • 工艺配方的快速切换,最快至10毫秒
  • 使用具有仅10毫秒开合响应时间的“ALD阀门”来实现“ALD”形式的气体定量输送
25nm wide Si trenches etched to 110nm depth by ALE, HSQ mask still in place

25nm wide Si trenches etched to 110nm depth by ALE, HSQ mask still in place

ALE cycle
AlGaN EPC
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ALE Systems

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