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PECVD是一种应用广泛的薄膜沉积技术。许多类型的器件需要PECVD来制造高质量的钝化层或高密度掩膜。
我们的PECVD 系统专门设计用于生产均匀度极佳的高速薄膜，并可控制薄膜特性，如折射率、应力、电特性和湿化学蚀刻率。我们的等离子体清洗工艺具有终点控制功能，可消除或减少对物理/化学腔室清洗的需求。
| PlasmaPro 80 |
PlasmaPro 100 |
PlasmaPro 800 | |
| 电极尺寸 |
240mm | 460mm | 240mm |
| 衬底 | 直径可达240 mm，多晶圆或小片 | 直径可达200 mm，可选择多晶圆或小片载具 | 直径可达460 mm，多晶圆或小片 |
| 掺杂 | No | 提供多种掺杂剂，包括PH3、3B2 H6、GeH4 | No |
| 液体前驱体 | No | Yes (TEOS) | No |
| MFC控制的气路数量 | 可提供4、8或12条管路的气箱 | ||
| 用于应力控制的射频开关 | Yes | ||
| 晶圆台温度范围 | 20°C到400°C | 标准温度为20°C至400°C，可选温度高达1200°C | 标准温度为20°C至400°C |
| 原位等离子体清洁 | 是的，终点可用，以确保最佳清洁时间 | ||
PECVD用于垂直排列石墨烯（比利时IMEC提供）
TEOS SiO2的PECVD
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