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等离子体增强化学气相沉积(PECVD)

PECVD是一种应用广泛的薄膜沉积技术。许多类型的器件需要PECVD来制造高质量的钝化层或高密度掩膜。

我们的PECVD 系统专门设计用于生产均匀度极佳的高速薄膜,并可控制薄膜特性,如折射率、应力、电特性和湿化学蚀刻率。我们的等离子体清洗工艺具有终点控制功能,可消除或减少对物理/化学腔室清洗的需求。


主要优势

  • 上电极射频驱动(MHz和/或kHz);下电极(衬底)无射频偏置;
  • 衬底直接放置在加热电极上
  • 气体通过上电极的 “喷淋头”气体入口注入到工艺腔中
  • 膜应力可以通过高/低频混合技术进行控制
  • 与传统CVD相比,工艺温度更低
  • 通过工艺条件控制薄膜的化学计量
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硬件


PlasmaPro 80
PlasmaPro 100
PlasmaPro 800
电极尺寸
240mm 460mm 240mm
衬底 直径可达240 mm,多晶圆或小片 直径可达200 mm,可选择多晶圆或小片载具 直径可达460 mm,多晶圆或小片
掺杂 No 提供多种掺杂剂,包括PH3、3B2 H6、GeH4 No
液体前驱体 No Yes (TEOS) No
MFC控制的气路数量 可提供4、8或12条管路的气箱
用于应力控制的射频开关 Yes
晶圆台温度范围 20°C到400°C 标准温度为20°C至400°C,可选温度高达1200°C 标准温度为20°C至400°C
原位等离子体清洁 是的,终点可用,以确保最佳清洁时间
请求PECVD系统报价

应用领域

  • 用于光电子、介质层、钝化和许多其他用途的高质量氮化硅和二氧化硅PECVD
  • 用于各种应用的高质量SiOx, SiNx和SiOxNy沉积
  • 用于高亮度LED生产的硬掩膜沉积和蚀刻
  • 非晶硅(a-Si:H)
  • 具有保形台阶覆盖的TEOS SiO2制备技术,可实现无空隙薄膜和均匀的阶梯覆盖
  • VCSEL 制造

PECVD用于垂直排列石墨烯(比利时IMEC提供)

TEOS SiO2的PECVD

PlasmaPro Systems for PECVD

PlasmaPro 80 PECVD

PlasmaPro 80 PECVD

  • 优异的晶圆温度均匀性
  • 晶圆直径可达200 mm
  • 低使用成本
  • 符合Semi S2/S8标准
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PlasmaPro 800 PECVD

PlasmaPro 800 PECVD

  • 高性能工艺
  • 优异的衬底温度控制
  • 精确的工艺控制
  • 经过验证的300 mm单晶圆工艺故障分析
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PlasmaPro 100 PECVD

PlasmaPro 100 PECVD

  • 高质量薄膜,高产能
  • 适用于所有直径最大为200 mm的晶圆
  • 电阻加热电极,最高温度可达400°C或1200°C
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