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电感耦合等离子体(ICP)刻蚀

ICP刻蚀是一种被广泛使用的技术,可提供高速率、高选择比以及低损伤的刻蚀。等离子体能够在低气压下保持稳定,因此能够更好地控制刻蚀形貌。 Cobra® ICP刻蚀源在低气压下仍可产生高密度的反应粒子。衬底上的直流偏压由一个射频发生器独立控制, 因此可根据工艺要求控制离子能量。

ICP Etching Diagram

要点

  • 高刻蚀速率
  • 出色的均匀性
  • 低气压下高密度的反应粒子
  • 精准的衬底直流偏压控制
  • 精准的离子能量控制
  • 更宽的电极温度范围 -150ºC至+400ºC
了解更多信息
  • 高刻蚀速率可由高离子密度(> 1011 /cm3)和高自由基密度来实现
  • 能够利用低离子能量实现对选择比和损伤的控制
  • 独立的射频和电感耦合等离子体发生器分别提供了对离子能量和离子密度的独立控制, 从而实现了高度的工艺灵活性
  • 在低气压工艺下同时仍具有高离子密度,这样可以改善对外形的控制
  • 化学和离子诱导刻蚀
  • 也可以在RIE模式下运行,以满足某些慢速刻蚀的需要
  • 可用于ICP-CVD模式的沉积
  • 高导通的泵送端口可提供高气体流量,以实现快速的刻蚀速率
  • 静电屏蔽消除了电容耦合,减少了对器件的电学损伤,以及在腔室内减少了杂质颗粒的形成
  • 标准化的晶圆压盘与氦冷却,提供了出色的温度控制,同时可以选择更宽的温度范围

PlasmaPro 80
PlasmaPro 100 PlasmaPro Estrelas PlasmaPro Polaris
Electrode size 240mm
Loading Open load
Load lock or Cassette
Wafer size Up to 50mm (2")* Up to 200mm
MFC controlled gas lines 8 or 12 line gas box available 3-5 close coupled gas lines with options for 8-12 external 8 or 12 line gas box available
Wafer stage temperature range -150 to 400ºC
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ICP Etching Systems

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