ICP刻蚀是一种被广泛使用的技术,可提供高速率、高选择比以及低损伤的刻蚀。等离子体能够在低气压下保持稳定,因此能够更好地控制刻蚀形貌。 Cobra® ICP刻蚀源在低气压下仍可产生高密度的反应粒子。衬底上的直流偏压由一个射频发生器独立控制, 因此可根据工艺要求控制离子能量。
PlasmaPro 80 |
PlasmaPro 100 | PlasmaPro Estrelas | PlasmaPro Polaris | |
Electrode size | 240mm | |||
Loading | Open load |
Load lock or Cassette | ||
Wafer size | Up to 50mm (2")* | Up to 200mm | ||
MFC controlled gas lines | 8 or 12 line gas box available | 3-5 close coupled gas lines with options for 8-12 external | 8 or 12 line gas box available | |
Wafer stage temperature range | -150 to 400ºC |