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PlasmaPro 800 RIE

PlasmaPro 800系列是结构紧凑、且使用方便的直开式系统,该系统为大批量晶圆和300mm晶圆上的反应离子蚀刻(RIE)工艺提供了灵活的解决方案。大尺寸的晶圆平台能够处理量产级别的批量以及300mm晶圆的工艺。

  • 高性能工艺

  • 准确的衬底温度控制

  • 准确的工艺控制

  • 成熟的300mm单晶圆失效分析工艺


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PlasmaPro 800具有460mm直径的工作台,拥有处理整片的300mm晶圆或批量43 x 50mm(2”)晶圆的能力, 可提供全套量产解决方案。PlasmaPro 800是公认的市场前列产品。

为化合物半导体、光电子和光子学应用提供了最大的工艺灵活性,PlasmaPro 800 可提供:

大型下电极 - 低成本

刻蚀终点监测 - 可靠性和可维护性俱佳

通过激光干涉仪与/或发射光谱进行终点监测 - 增强刻蚀控制

可选择带有4-、8-或12-条气路的气柜 - 可提供灵活的工艺和工艺气体,可以与主机分离,放置在远端服务区

近距离耦合涡轮泵 - 提供优越的泵送速度加快气体的流动速度

数据记录 - 追溯腔室的历史状态以及工艺条件

液体冷却和/或电加热电极 - 出色的电极温度控制和稳定性

  • 使用我们的具有特殊配置的失效分析设备进行干法刻蚀解剖工艺 —— 具有RIE和 PE两种模式
  • RIE/PE工艺涵盖了从封装好的芯片和裸芯片到整片300mm晶圆刻蚀
  • 高质量的PECVD 沉积的SiNx和SiO2薄膜 ,适用于光子学、介电层钝化和诸多其它领域
  • SiO2,SiNx和石英刻蚀
  • 金属和聚酰亚胺有机物刻蚀
  • 用于高亮度LED生产的钝化沉积
  • III-V族刻蚀工艺
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选项

PlasmaPro 800 PECVD

  • 旨在生产高质量的均匀介质薄膜。PECVD 中的应力控制是由可选的或者混合的高/低频等离子体源提供的, 使通过调整工艺得到具有张应力,压应力或者低应力的沉积薄膜成为可能。

PlasmaPro 800 RIE/PE

  • 在同一设备上结合了RIE的各向异性和 PE模式刻蚀的高选择性。

PlasmaPro 800 RIE

  • 成熟的干法刻蚀广泛应用于整个工业领域。

相关应用

失效分析制造光发射装置制造和表征生物微机电制造
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