原子层沉积（ALD）

原子层沉积 (ALD) 是一种真正的纳米技术, 可以准确可靠地沉积仅几个纳米厚的超薄薄膜。等离子体可以实现出色的表面预处理, 控制薄膜性质以及作为种类广泛的沉积源。

ALD cycle for Al₂O₃ deposited using TMA and O₂ plasma

Only step 3 varies between H₂O for the thermal process or O₂ plasma. As the ALD process deposits precisely one atomic layer in each cycle, complete control over the deposition process is obtained at the nanometre scale:

A. TMA chemisorption B. TMA purge C. O2 plasma D. Short post plasma purge

A. TMA chemisorption | B. TMA purge | C. O₂ plasma | D. Short post plasma purge

热 ALD

即使在高深宽比和复杂结构中也可以实现保形覆盖。
原子层沉积可以生长各种各样的材料，例如：
- 氧化物：

Al2O3、HfO2、SiO2、TiO2、SrTiO3、Ta2O5、Gd2O3、ZrO2、Ga2O3、V2O5、Co3O4、ZnO、ZnO:Al、ZnO:B、In2O3:H、WO3、MoO3、Nb2O5、NiO、MgO、RuO2

- 氟化物：MgF2、AlF3
- 有机混合材料：Alucone
- 氮化物：TiN、TaN、Si3N4、AlN、GaN、WN、HfN、NbN、GdN、VN、ZrN
- 金属：Pt、Ru、Pd、Ni、W
- 硫化物：ZnS、MoS2

远程等离子增强型ALD（PEALD）

除了具有热ALD的优点外，PEALD可以选择更多的化学气体或液体源从而进一步提高薄膜质量：

等离子体使得低温ALD工艺成为可能，而远程离子源可保持低的等离子体损伤
不再需要用水作为液体源，因此减少了ALD循环之间的吹扫时间——特别是低温条件下
通过改进去除杂质的手段，从而获得电阻率更低、密度更高的高质量薄膜
通过使用氢等离子体实现有效的金属化学特性
能够控制化学计量比/相变
基底表面成核延迟大为降低
等离子体表面处理
等离子体可以清除腔室内一些材料的残留

	OpAL	FlexAL
Loading	Open load	Load lock or Cassette
Substrates	Up to 200mm wafers & pieces directly on stage	Up to 200mm wafers handling and pieces on a carrier plate
Bubbled liquid & solid precursors	Up to 4 plus water, ozone and gases	Up to 8 plus water, ozone and gases
Max precursor source temperature	200ºC	200ºC
MFC controlled gas lines with rapid delivery system; 1) thermal gas precursors (e.g. NH<sub>3</sub>, O<sub>2</sub>) 2) plasma gases (e.g. O<sub>2</sub>, N<sub>2</sub>, H<sub>2</sub>)	2 internally. Up to 8 in externally mounted gas pod	Up to 10 in externally mounted gas pod

Download ALD Brochure

ALD Systems

Website by Miramar Communications Ltd

原子层沉积（ALD）

要点

热 ALD

远程等离子增强型ALD（PEALD）

ALD Systems