碳化硅及氮化镓功率器件

功率器件的解决方案

• 我们的 原子层沉积 (ALD) 工艺可在GaN / AlGaN上提供优异的钝化层，从而减少了阈值电压的漂移；
• 我们的 GaN etch 刻蚀工艺经过优化，可减少等离子体损伤并形成光滑的刻蚀剖面；
• 刻蚀速率可以被控制到仅仅几纳米/分钟，对 AlGaN 材料的破坏程度极低，蚀刻精度可控制在 10-30nm 范围内。
• SiC 通孔刻蚀工艺 可实现高速率以及优异的侧壁质量；
• SiC 特征结构刻蚀工艺 能实现光滑的刻蚀表面，以获得更佳的器件性能。

白皮书

SiC功率器件制造的等离子体工艺解决方案

在本白皮书中，我们考虑了等离子体工艺的角色及其在决定器件性能和针对不同的应用时如何选取最佳策略的重要性。 我们还调研了主要SiC器件的结构，例如肖特基势垒二极管（SBD）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。

网络讲堂

开启SiC革新：等离子体工艺带来更好的性能

在本次网络研讨会中，我们介绍了可用于增强SiC器件性能的五种主要等离子体工艺方法。 我们将看到引入等离子体刻蚀作为表面预处理； 使用PECVD进行掩模沉积； 台面和沟槽的高速率刻蚀； 沉积势垒层用以改善界面和效率等等。