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PlasmaPro 100 Polaris

单晶圆刻蚀技术的进展

凭借在蚀刻GaN,SiC和蓝宝石等材料方面的丰富经验,我们的技术既能够满足性价比的要求、又能使器件的性能得到更优化。

PlasmaPro 100 Polaris单晶圆刻蚀系统为得到更为精湛的刻蚀效果提供了智能解决方案,使您在行业中能保持竞争优势。

  • 高效的刻蚀速率

  • 低购置成本

  • 专为腐蚀性的化学成分而设计

  • 出色的刻蚀均匀性

  • 适用于蓝宝石的静电压盘技术

  • 蓝宝石和硅上的GaN

  • 高导通抽气系统

  • 可与其它PlasmaPro系统集成


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PlasmaPro 100 Polaris专为刻蚀坚硬材料(如GaN,蓝宝石和SiC)所需要使用的腐蚀性化学气体而设计,可在最大直径200mm的晶圆上实现快速均匀刻蚀。

PlasmaPro 100 Polaris单晶圆刻蚀系统为得到更为精湛的刻蚀效果提供了智能解决方案,使您在行业中能保持竞争优势。

主动冷却电极 - 在刻蚀过程中保持样品温度

高功率ICP源 - 产生高密度等离子体

可靠的硬件且易于维护 - 可保持长时间正常运转

磁场垫环 - 增强离子的控制和均匀性

静电压盘技术 - 适用于蓝宝石,以及蓝宝石和硅基的GaN

加热的腔室内衬 - 优化以减少腔壁沉积

先进的自动匹配单元(AMU) - 提供快速,高效和准确的匹配,确保工艺的高度精准重复性

  • RF器件SiC通孔刻蚀
  • 功率半导体器件SiC形貌刻蚀
  • HBLED GaN刻蚀
  • RF device GaN etch
  • Patterned Sapphire Substrate (PSS) Etch
  • SiO2 and quartz etch
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