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原子尺度加工

原子尺度加工意味着在原子尺度上进行晶圆级的加工,并对其进行控制。这种原子级别的控制可用于薄膜的沉积、材料的去除或刻蚀,以及具有独特特性(如石墨烯)的一维和二维材料的生长。

我们的等离子体加工系统系列为原子尺度加工提供了完整解决方案。我们提供独特的集群能力或独立系统,使得可以在生产规模上以原子尺度精度操纵物质。

在原子尺度上推动创新

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电介质的ALD

使用原子层沉积技术对绝缘体、氮化物和金属进行加工,以实现低损伤。我们独特的群集能力使我们能够直接覆盖表面,避免暴露于空气。例如,这些表面可以是刻蚀过的界面或新生长的二维材料,如MoS2或石墨烯,这些材料可以通过ALD介质或盖层进行覆盖,对于各种设备而言,这都可能是一个巨大的优势。

低损伤电介质和金属的原子层沉积

化学气相沉积

化学气相沉积与原子层沉积技术可用于处理原子薄结构的一维和二维材料。

通过在纳米线上覆盖ALD薄膜或刻蚀一维和二维材料来调整其特性,可以构建出独特的器件。

CVD growth of ZnO nanowires using DEZn precursors

使用DEZn前驱体进行ZnO纳米线的CVD生长。
(剑桥大学纳米科学中心提供)

CVD growth of hBN

Hbn的CVD生长

(ALE)原子层刻蚀

硅、氮化镓和二维材料的原子层刻蚀。由于这些材料在各种器件中发挥着重要功能,因此我们能够以极高的可控性和较低的损坏率对其进行刻蚀,从而成为一项先进的技术。此外,将原子层刻蚀与沉积和生长相结合,将为您的器件制造提供独特的优势。

25nm wide Si trenches etched to 110nm depth by ALE, HSQ mask still in place

经过ALE加工,将25nm宽的Si沟槽刻蚀至110nm深,HSQ掩膜仍保留在原位。

PlasmaPro ASP

低损伤的高速偏置等离子体 ALD

通过快速、高速沉积保形、可调氧化物和氮化物,实现了能力上的飞跃。

  • 获得专利的远程等离子源设计
  • 比传统远程等离子体快3倍
  • 用于离子能量控制的级偏压
  • 低温下的高质量沉积,适用于敏感表面
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PlasmaPro ASP可与其他系统轻松配置,用于高级研发


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