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  1. Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器
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产品系列 (无选择)
ALD

ALD

  • Excellent process control
  • Superb thin film barrier properties
  • Virtually pin-hole free films
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ALE

ALE

  • 高选择比
  • 低损伤
  • 出色的均匀性
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DSiE

DSiE

  • 高精度的刻蚀工艺
  • 高选择比
  • 高深宽比工艺
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IBD

IBD

  • Multiple wafer handling options
  • Multiple mode functionality
  • Single wafer loadlock or cluster wafer handling
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Ion Beam

Ion Beam

  • Multiple wafer handling options
  • Multiple mode functionality
  • Single wafer loadlock or cluster wafer handling
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ICP Etching

ICP Etching

  • 高密度
  • 低压力
  • 宽温度范围
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ICPCVD

ICPCVD

  • 高品质
  • 低损伤的薄膜
  • 宽温度范围
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Nanoscale Growth

Nanoscale Growth

  • Cold wall design with showerhead
  • Excellent temperature uniformity
  • Up to 1200oC
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PECVD

PECVD

  • Excellent uniformity
  • High rate films
  • Excellent control of film properties
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RIE Etching

RIE Etching

  • Anisotropic dry etching
  • Fast and consistent etching
  • pumping capacity
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带刻蚀点的原子层刻蚀

带刻蚀点的原子层刻蚀

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