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PlasmaPro 80 RIE

PlasmaPro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统,可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置,便于使用,且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸,是研究和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。

  • 直开式设计允许快速装卸晶圆

  • 出色的刻蚀控制和速率测定

  • 出色的晶圆温度均匀性

  • 晶圆最大可达200mm

  • 购置成本低

  • 符合半导体行业 S2 / S8标准


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  • III-V族材料刻蚀工艺
  • 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺
  • 类金刚石(DLC)沉积
  • 二氧化硅和石英刻蚀
  • 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺,可处理封装好的芯片, 裸晶片,以及200mm晶圆
  • 用于高亮度LED生产的硬掩模的刻蚀
RIE of InP waveguide

RIE of InP waveguide

7 μm polyimide feature RIE

7 μm polyimide feature RIE

  • 小型系统 —— 易于安置
  • 优化的电极冷却系统 —— 衬底温度控制
  • 高导通的径向(轴对称)抽气结构 —— 确保能提升工艺均匀性和速率
  • 增加<500毫秒的数据记录功能 —— 可追溯腔室和工艺条件的历史记录
  • 近距离耦合涡轮泵 —— 抽速高迅速达到所要求的低真空度
  • 关键部件容易触及 ——系统维护变得直接简单
  • X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力, 并且可以实现更快更可重复的匹配
  • 通过前端软件进行设备故障诊断 —— 故障诊断速度快
  • 用干涉法进行激光终点监测 —— 在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物),或者用反射法来确定非透明材料(如金属)的边界
  • 用发射光谱(OES)实现较大样品或批量工艺的终点监测 —— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化,以及用于腔室清洗的终点监测
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