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PlasmaPro 80 ICPCVD

PlasmaPro 80是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统,可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置,便于使用,且能够确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸,是科学研究、原型设计和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高性能工艺。

  • 直开式设计允许快速装卸晶圆

  • 出色的刻蚀控制和速率测定

  • 出色的晶圆温度均匀性

  • 晶圆最大可达200mm

  • 购置成本低

  • 符合半导体行业 S2 / S8标准


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  • III-V族刻蚀工艺
  • 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺
  • 类金刚石
  • 类金刚石(DLC)沉积
  • 二氧化硅和石英刻蚀
  • 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖逆工艺,可处理封装好的芯片, 裸晶片,以及200mm晶圆
  • 高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅,用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途
  • 用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀
Deep Si feature etch by ICP-RIE cryo process
RIE of InP waveguide
7 μm polyimide feature RIE
  • 小型系统——易于安置
  • 优化了的电极冷却——衬底温度控制
  • 高导通的径向(轴对称)抽气结构—— 确保提升了工艺均匀性和速率
  •  增加<500毫秒的数据记录功能——可追溯腔室和工艺条件的历史记录
  •  近距离耦合涡轮泵——提供优越的泵送速度加快气体的流动速度
  •  关键部件容易触及——系统维护变得直接简单
  • X20控制系统——大幅提高了数据信息恢复功能, 同时可以实现更快更可重复的匹配
  •  通过前端软件进行设备故障诊断——故障诊断速度快
  • 用干涉法进行激光终点监测——在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物),或者用反射法来确定非透明材料 (如金属) 的边界
  • 用发射光谱(OES)实现较大样品或批量工艺的终点监测—— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化,以及用于腔室清洗的终点监测
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相关应用

失效分析制造光发射装置制造和表征生物微机电制造
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