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PlasmaPro 100 ICPCVD

This ICPCVD process module is designed to produce high quality films at low growth temperatures, enabled through high-density remote plasmas that achieves superior film quality with low substrate damage.

  • 更好的均匀性、高产量以及高精度的工艺

  • 高质量薄膜

  • 电极的适用温度范围宽

  • 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆

  • 快速更换不同尺寸晶圆

  • 购置成本低且易于维护

  • 紧密的设计,布局灵活

  • 电阻丝加热电极,最高温度可达400°C或1200°C

  • 实时监测清洗工艺, 并且可自动停止工艺


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  • 在低温度下沉积低损伤的薄膜
  • 可沉积的典型材料包括: SiO2Si3N4 、 SiON、Si 和 SiC,衬底温度可低至5ºC 
  • 65mm、180mm、300mm 尺寸的ICP源 提供了工艺的均匀性
  • 晶圆尺寸高至200mm
  • 电极的温度范围为5ºC至400ºC
  • 已获得专利的ICPCVD气体配送技术
  • 实时监测清洗工艺, 并且可自动停止工艺
SiO2

SiO2 deposited using TEOS and O2 by ICP CVD in ~50μm deep trench 4:1 aspect ratio

SiNx

SiNx deposited by ICP CVD at room temperature for 22nm T-gate HEMT

  • 壁部加热减少腔壁沉积
  • 背氦制冷辅以机械压盘确保了均匀的晶圆温度同时优化了薄膜性能
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升级/配件

气柜 —— 包含额外的气体管线,提供更大的灵活性

Logviewer 软件 —— 数据记录软件允许实时绘图和事后分析

光学终点探测 —— 实现更好工艺结果的重要工具

前级减流阀 —— 允许腔室缓慢的开始抽真空

涡轮分子真空泵 —— 提供泵送速度加快气体的流动速度

X20控制系统 —— 提供具有前瞻性的,灵活可靠的设备,增强系统“智能性”

AE Paramount射频发生器 —— 提供更高的可靠性和更好的等离子体稳定性

自动压力控制 —— 该控制器可确保快速准确的压力控制

双CM表开关 —— 具有通过单个压力控制阀使用两个不同范围电容压力计的能力

LN2自动切换装置 —— 使工作台的冷却液能够在液氮(LN2)与制冷机模式之间自动切换

TEOS液位传感 —— 使用安装在TEOS罐上的超声波液位传感器实现液位传感

宽温度范围电极 —— 提高工艺性能的重要设计改进

相关应用

太阳能光伏技术制造量子信息处理光发射装置制造和表征生物微机电制造
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