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图示说明（左）：ICP-RIE工艺的AlGaN表面粗糙度更高（0.8 nm Ra）。
图示说明 (右)：ICP-RIE&ALE工艺的AlGaN表面粗糙度降低（0.4 nm Ra）。
图示说明：ALE用于对p-GaN器件的表面平滑和低粗糙度处理，以提高器件性能。
图示说明（左）：ALE前的GaN表面粗糙度（0.2 nm Ra），以展示通过GaN刻蚀的全加工器件。
图示说明（右）：ALE之后的GaN表面粗糙度（0.1 nm Ra），以展示通过AlGaN刻蚀的全加工器件。
图示说明：ALE可将部分刻蚀凹槽中剩余AlGaN的刻蚀厚度精确控制在±0.5 nm，从而实现常关断器件并提高器件可靠性。
图示说明：用TEM验证3个样品的AlGaN层刻蚀点精度。即刻蚀点刻蚀后的目标AlGaN剩余厚度为5 nm ± 0.5 nm，这与刻蚀点刻蚀痕迹相关联。
Etchpoint®是一种正在申请专利的基于紫外反射率的终点技术，其所选择的优化波长可实现优越的GaN和AlGaN刻蚀层深度精度。其他终点解决方案通常只能达到±2 nm的分辨率，这限制了能可靠制造某些GaN HEMT器件结构的能力。牛津仪器公司通过与LayTec公司合作，独家开发并优化了这一全新的刻蚀深度监测解决方案，可同时实现Etchpoint与PlasmaPro 100 ALE系统的硬件和软件完全集成。
这些平台可以组合在一起，从而实现技术和工艺的集群，并提供盒式或单晶圆装载选项。除此之外，还可提供六角形或方形传送室配置。
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