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PlasmaPro 80 ICP

PlasmaPro 80 ICP是一种结构紧凑、小型且使用方便的直开式系统,可提供多种刻蚀解决方案。 它易于放置,便于使用,且能够确保工艺质量。直开式设计允许快速的进行晶圆装卸,是科学研究、原型设计和少量生产的理想选择。 该设备通过优化了的电极冷却技术和出色的衬底温度控制来实现高度稳定的工艺结果。

  • 直开式设计允许快速装卸晶圆

  • 出色的刻蚀深度和刻蚀速率控制

  • 出色的晶圆温度均匀性

  • 晶圆最大可达200mm

  • 购置成本低

  • 符合半导体行业 S2 / S8标准


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  • III-V族材料刻蚀工艺
  • 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺
  • 二氧化硅和石英刻蚀
  • 用于失效分析的干法刻蚀解剖工艺,可处理封装好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圆
  • 用于高亮度LED生产的硬掩模的沉积和刻蚀
Top dielectric layer removed, exposing four metal layers

    去除顶部介电层,露出四层金属层

    Top dielectric layer removed, exposing four metal layers

    去除顶部介电层,露出四层金属层

    Low damage FA etching in the ICP65

    用ICP65进行低损伤的FA刻蚀

    • 小型系统 —— 易于安置
    • 优化的电极冷却系统 —— 衬底温度控制
    • 高导通的径向(轴对称)抽气结构 —— 确保能提升工艺均匀性和速率
    • 增加<500毫秒的数据记录功能 —— 可追溯腔室和工艺条件的历史记录
    • 近距离耦合涡轮泵 —— 抽速高迅速达到所要求的低真空度
    • 关键部件容易触及 ——系统维护变得直接简单
    • X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力, 并且可以实现更快更可重复的匹配
    • 通过前端软件进行设备故障诊断 —— 故障诊断速度快
    • 用干涉法进行激光终点监测 —— 在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物),或者用反射法来确定非透明材料 (如金属) 的边界
    • 用发射光谱(OES)实现较大样品或批量工艺的终点监测 —— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化,以及用于腔室清洗的终点监测
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    相关应用

    失效分析制造光发射装置制造和表征生物微机电制造
    沪ICP备17031777号-1 公安机关备案号31010402003473