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PlasmaPro 100 RIE

PlasmaPro 100 RIE模式可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺。

  • 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆

  • 快速更换不同尺寸晶圆

  • 购置成本低且易于维护

  • 出色的均匀性,高产量和高工艺精度

  • 实时监测清洗工艺, 并且可自动停止工艺

  • 电极的适用温度范围宽,-150°C至400°C


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RIE of InP waveguide

RIE of InP waveguide

70nm Fused Silica lines 933nm deep Cr mask

70nm Fused Silica lines 933nm deep Cr mask

Dielectric metal etch

Dielectric metal etch

  • 通过均匀的高导通路径连接的腔室,将反应粒子输送到衬底

在维持低气压的同时,允许使用较高的气体流量

  • 电极的温度范围宽(-150°C+ 400°C

可通过液氮,液体循环制冷机制冷或电阻丝加热  —— 可选的吹排及液体更换单元可自动进行模式切换

  • 循环制冷机单元控制电极温度

出色的衬底温度控制能力

  • 高抽气能力 —— 提供了更宽的工艺气压窗口
  • 晶圆压盘与背氦制冷

保证更好的晶片温度控制

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升级/配件

气柜 —— 包含额外的气体管线,提供更大的灵活性

Logviewer软件 —— 数据记录软件允许实时绘图和事后分析

光学终点探测 —— 实现更好工艺结果的重要工具

前级减流阀 —— 允许腔室缓慢的开始抽真空

涡轮分子真空泵 —— 提供泵送速度加快气体的流动速度

X20控制系统 —— 提供具有前瞻性的,灵活可靠的设备,增强系统“智能性”

AE Paramount射频发生器 —— 提供更高的可靠性和更好的等离子体稳定性

自动压力控制 —— 该控制器可确保快速准确的压力控制

双CM表开关 —— 具有通过单个压力控制阀使用两个不同范围电容压力计的能力

LN2自动切换装置 —— 使工作台的冷却液能够在液氮(LN2)与制冷机模式之间自动切换

TEOS液位传感 —— 使用安装在TEOS罐上的超声波液位传感器实现液位传感

宽温度范围电极 —— 提高工艺性能的重要设计改进

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