Ionfab 300 IBE

Ionfab 300 with brooks MMX handler

Ionfab 300 small chamber

Ionfab 300 large chamber

离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统配置与实际应用紧密协调，以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。

多模式功能
能够与其它等离子体刻蚀和沉积设备相集成
单晶圆传送模式或集群式晶圆操作
双束流配置
更低的表面薄膜粗糙度
更佳的批次均匀性和工艺重复性
准确终点监测 —— SIMS，发射光谱

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质量薄膜高 ——超低污染
产量高，紧凑的系统体积设计 ——运行成本低
高速衬底架（高达1000RPM）设计，并配备了白光光学监视器（WLOM）——更为准确的实时光学薄膜控制
配置灵活 ——适于先进的研究应用
灵活的晶圆操作方式 —— 直开式、单晶圆传送模式或者带机械手臂的盒对盒模式

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Ionfab brochure

磁阻式随机存取存储器（MRAM）
介电薄膜
III-V族光电子材料刻蚀
自旋电子学
金属电极和轨道
超导体
激光端面镀膜
高反射（HR）膜
防反射（AR）膜
环形激光陀螺反射镜
X射线光学系统
红外（IR）传感器
II-VI族材料
通信滤波器

离子束刻蚀模式

离子束刻蚀（IBE）
反应离子束刻蚀（RIBE）
化学辅助离子束刻蚀(CAIBE)

Ionfab300 标准腔室

一种用于研究和生产型的紧凑型离子束刻蚀和沉积设备，配备最多两个（15cm）离子源用于刻蚀或沉积。这使其能够沉积高达200mm尺寸的晶圆和对最大100mm 尺寸的晶圆进行刻蚀工艺的优化。

Ionfab300 大型腔室

在基本相同的系统体积下，具有较大的工艺腔室，可以刻蚀和沉积高达200mm尺寸的晶圆。该设备配有一个30cm刻蚀离子源，可提供出色的刻蚀均匀性和工艺稳定性，是规模化生产的理想选择。

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