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Ionfab 300 IBE

离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项,包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统配置与实际应用紧密协调,以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。

  • 多模式功能

  • 能够与其它等离子体刻蚀和沉积设备相集成

  • 单晶圆传送模式或集群式晶圆操作

  • 双束流配置

  • 更低的表面薄膜粗糙度

  • 更佳的批次均匀性和工艺重复性

  • 准确终点监测 —— SIMS,发射光谱


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  • 质量薄膜高 ——超低污染
  • 产量高,紧凑的系统体积设计­ ——运行成本低
  • 已获得专利的高速衬底架(高达1000RPM)设计,并配备了白光光学监视器(WLOM)——更为准确的实时光学薄膜控制
  • 配置灵活 ——适于先进的研究应用
  • 灵活的晶圆操作方式 —— 直开式、单晶圆传送模式或者带机械手臂的盒对盒模式
  • 磁阻式随机存取存储器(MRAM)
  • 介电薄膜
  • III-V族光电子材料刻蚀
  • 自旋电子学
  • 金属电极和轨道
  • 超导体
  • 激光端面镀膜
  • 高反射(HR)膜
  • 防反射(AR)膜
  • 环形激光陀螺反射镜
  • X射线光学系统
  • 红外(IR)传感器
  • II-VI族材料
  • 通信滤波器

离子束刻蚀模式

  • 离子束刻蚀(IBE)
  • 反应离子束刻蚀(RIBE)
  • 化学辅助离子束刻蚀(CAIBE)

Ionfab300 标准腔室

一种用于研究和生产型的紧凑型离子束刻蚀和沉积设备,配备最多两个(15cm)离子源用于刻蚀或沉积。 这使其能够沉积高达200mm尺寸的晶圆和对最大100mm 尺寸的晶圆进行刻蚀工艺的优化。

Ionfab300 大型腔室

在基本相同的系统体积下,具有较大的工艺腔室,可以刻蚀和沉积高达200mm尺寸的晶圆。 该设备配有一个30cm刻蚀离子源,可提供出色的刻蚀均匀性和工艺稳定性,是规模化生产的理想选择。

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