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速度、性能、等离子体。

Atomfab为GaN功率器件和射频器件提供快速、低损伤、低运营维护成本的等离子体原子层沉积(ALD)加工。

速度

Atomfab是市面上沉积速度最快的量产型远程等离子体辅助ALD系统。

提供能满足客户的生产需求的解决方案

  • 低运营维护成本
  • 维护速度快且方便
  • 优异的薄膜均匀性
  • 材料质量高
  • 衬底损伤低
  • 循环时间更短,高产出
  • 可群集和自动化晶片传送
Atomfab 3 System Cluster

性能

Atomfab的ALD技术可提供精确控制的超薄薄膜,适用于纳米级的高级应用领域,为敏感衬底结构提供保形涂层。


功率器件和射频器件钝化的工艺优势

  • 由我方工程师保证工艺设置
  • 为附加/新工艺提供全寿命工艺支持
  • 低损伤等离子体加工
  • 高质量沉积,低膜污染
  • 低粒子位准
  • 等离子体暴露时间短,高产出
  • 等离子体表面预处理


GaN功率器件和射频器件等离子体ALD的优势

  • 在沉积前进行等离子体预处理以提高界面质量
  • 损伤低,沉积均匀
  • 远程等离子体ALD具有接近零至30 ev的可控离子能量
  • ALD钝化,Al2O3薄膜栅极介电层。

请阅读白皮书中更多关于ALD优化GaN功率器件的方式的内容。

GaN HEMTs

GaN HEMT

提高产量,改进均匀性,将远程等离子体ALD投入生产。

等离子体

旋转等离子体源:Atomfab使用专门为原子级加工而设计的远程源(专利申请中)。



  • 对敏感衬底损伤低,最大限度提高器件性能
  • 循环时间短,具有可靠性,等离子体暴露和薄膜沉积均匀
  • AMU(专利申请中)可缩短等离子体时间(250ms)
  • 启动时间短(80ms),高产出
  • 启动时间可再现,低反射功率,高产出
Atomfab demonstrates excellent ALD uniformity on substrates
300℃下的等离子体ALD Al2O3 规格
晶圆内厚度均匀性 <±1.0%
晶片间厚度可重复性 <±1.0%
击穿电压 ≥7.0 MV/cm

全球客户支持

Oxford Instruments致力于为全球客户提供全面、灵活和可靠的支持。我们可在贵司系统的整个生命周期内提供优质服务。

  • 远程诊断软件可快速、轻松诊断和解决故障
  • 可根据预算和具体情况提供支持合同
  • 在全球战略位置提供备件,以实现快速响应
获取更多咨询

白皮书:
应用于GaN HEMT功率电子器件的ALD和ALE技术

正在开发新的GaN功率电子器件,以用于功率转换和输送。GaN的高迁移率和击穿电压使其成为功率器件的理想材料。有几种方法可制造此类器件,其中一种常见方法是使用AlGaN阻挡层的凹槽刻蚀。此外,栅极介电层需限制泄漏电流。

网络研讨会:
使用ATOMFAB ALD实现的的GaN器件的栅极介电层

从2019年7月开始可随时根据需要观看本次网络研讨会。我司的ALD专家Aileen O'Mahony博士已开设GaN ALD课程。我司探讨了关于客户如何实现优异的均匀性,优化工艺条件,降低衬底损伤,提高材料质量和器件性能,以及实现保形沉积的话题。网络研讨会还包括对Atomfab ALD系统的介绍。

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