离子束刻蚀（IBE）和反应离子束刻蚀（RIBE）

离子束技术可以在高真空系统中使用带电离子束来刻蚀。

离子束直接照射于要刻蚀的衬底上。斜角的结构可以使用此系统特有的通过倾斜样品从而改变离子束入射方向的功能来实现。离子束刻蚀有以下两种方式：

IBE使用带电的非反应离子
RIBE使用反应粒子来改变性质

特点及优势
设备

主要优势

适用于高级研究领域的各种灵活配置
适用于生产领域的出色的均匀性和工艺重复性
灵活的晶圆处理能力—— 直开式、单片晶圆自动传送手臂或盒对盒机器人处理装置
精准的终点监测——SIMS，发射光谱
两种衬底座可选：
- 0 - 20 RPM，0 - 300°C水冷却
- 0 - 500 RPM，石英灯加热，附带白光监视器（WLOM）选项

刻蚀离子源的特点

15cm或30cm射频电感耦合等离子体（ICP）离子源
三层栅片组合设计
栅片设计可为具体的刻蚀要求而定制
护成本的无灯丝直流等离子体桥中和器（PBN）

	Ionfab 300
Ion etch source	150mm or 300mm
Etch area	Up to 200mm
Platen speed	Up to 500rpm
Platen tilt angle	-90ºC to +75 ºC1
Platen heat	Embedded heaters up to 300ºC
Platen cooling	Helium

沪ICP备17031777号-1

公安机关备案号31010402003473