电感耦合等离子体刻蚀

ICP RIE刻蚀是一种先进的技术，旨在实现高刻蚀率、高选择性和低损伤加工。由于等离子体可保持在低压状态，因此还能提供出色的剖面控制。

The Cobra^® ICP源可产生均匀、高密度的等离子体，并能在低压下运行。基底直流偏压由单独的射频发生器独立控制，可以控制离子能量，从而获得符合特定工艺要求的出色结果。

白皮书

案例研究

ICP Etching Diagram

主要优势

独特的宽温度范围电极，温度范围从-150ºC到+400ºC，可为各种材料和器件提供一系列工艺解决方案
通过高离子密度(>1011 cm3)和高自由基密度实现高刻蚀率
刻蚀源设计用于实现出色的跨晶圆均匀性
通过低离子能量实现对选择性和损伤的控制
在低压加工过程中，通过高反应物密度实现出色的剖面控制
通过独立的基底直流偏压控制实现离子能量的独立控制

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硬件

	PlasmaPro 80	PlasmaPro 100	PlasmaPro Polaris
电极尺寸	240mm
装载方式	开放装载	装载锁或盒式
晶圆尺寸	最大50 mm(2")*	最大200 mm
MFC控制的气路数量	可提供8或12条管路的气箱	3-5条密接式气路，可选8-12条外部气路	可提供8或12条管路的气箱
晶圆台温度范围	-150 ºC至400ºC

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应用领域

GaN刻蚀，用于LED或激光器和功率器件
具有光滑刻蚀表面的垂直磷化铟 (InP) 波导
非选择性GaAs/AlGaAs，可实现VCSEL的光滑侧壁
精确的VCSEL台面刻蚀，具有优异的刻蚀深度控制
用于光电子器件的高度选择性GaAs/AlGaAs
用于波导的氧化物刻蚀
故障分析应用，用于去除：
- 各向同性聚酰亚胺和各向同性氮化物（钝化）
- 各向异性氧化物（IMD/ILD）
- 低介电常数氧化物
- 铝和铜
- 背面硅块

特点

独立的射频和ICP发生器可分别控制离子能量和离子密度，实现高度的工艺灵活性
化学刻蚀和离子诱导刻蚀
在特定低刻蚀速率应用中也可以以RIE模式运行
可用于ICP-CVD模式下的沉积
高电导泵送端口可提供高气体吞吐量，以实现最快的刻蚀速率
静电屏蔽消除了电容耦合，减少了对器件的电损伤，并减少了腔室颗粒
晶圆夹持和氦气冷却为标准配置，可提供出色的温度控制，并可选择较宽的温度范围

ICP刻蚀的InP展现出光滑的侧壁和干净的刻蚀表面

使用Cr掩模对SiO2波导进行 ICP刻蚀

沪ICP备17031777号-1

公安机关备案号31010402003473