非接触式 SiC 等离子抛光技术

SiC 等离子抛光是一种非接触式的干法刻蚀工艺，它可以为 SiC 晶圆表面提供更高质量的预处理，以满足功率 SiC 器件的制造需求。该工艺具有以下优势：

• 更低的运营成本，节省化学品和耗材用量，减少浆液副产物和废水排放，降低供应链复杂性。

• 更高的工艺稳定性，优先去除受损和弱键合材料，保持良好的表面质量，提高晶粒良率和器件性能。

• 更好的技术兼容性，可直接替代 CMP，与 200 毫米晶圆制造平台相匹配，易于集成到现有工艺流程中。

SiC 等离子抛光是一种创新的技术方案，它可以解决 CMP 技术的局限性，如重大技术、耗材成本高、供应链复杂、环境污染等问题。它可以选择性地从表面去除受损的SiC，同时保持良好的表面质量，为外延生长准备好种子衬底，并且可以应用到 C- 面处理上，以平滑和去除亚表面损伤。它还可以提升晶圆间的工艺稳定性，提高晶粒良率和器件性能。

牛津仪器等离子抛光设备是一种经市场验证的 CMP 优异替代技术，它具有 150 和 200 毫米晶圆处理能力，并且可以无缝集成到当前的 SiC 生产线上。它可以在实现器件性能提升的同时降低制造成本，助力客户轻松应对急剧增长的 SiC 晶圆市场需求量。