白皮书
面向InP基激光器和光电二极管的前端等离子体工艺解决方案

急剧增长的全球数据流量给光通信网络带来了巨大的通信容量压力，并推动了对大带宽光收发器的需求。InP基光子集成电路已经在全球市场中建立起稳固的地位，未来其制造能力也将持续扩大，以应对全球网络基础设施的不断升级与改造。InP基光电子元器件的主要应用包括用于硅光子学的激光器、数据中心收发机、移动回程网、接入网和城域网市场。InP及其化合物的材料特性使其成为制造高频工作光电器件的理想半导体材料。此外，它们的本征工作波长范围为1300-1650 nm，与光纤通信用光纤的最佳光谱范围完美匹配。牛津仪器等离子技术开发了先进的InP基等离子体工艺解决方案，为客户提供具有成本效益、高产量和高性能的器件加工策略，助力提升其产品制造能力。在这篇白皮书中，我们将讨论一些制造激光器和光电二极管的关键等离子体加工步骤，并分享我们在这些关键工艺中的加工能力。

Author

Grant Baldwin
Technical Marketing Manager, Oxford Instruments Plasma Technology