ICP 刻蚀系统

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系统利用高密度电感耦合等离子体实现快速刻蚀速率。该工艺模块可提供出色的均匀性、高吞吐量、高精度和低损伤工艺，适用于最大尺寸为200毫米的晶圆，支持包括GaAs和InP激光光电子、SiC和GaN电力电子/射频以及MEMS和传感器在内的多个市场领域。

单晶圆刻蚀技术的进展 凭借在蚀刻GaN，SiC和蓝宝石等材料方面的丰富经验，我们的技术既能够满足性价比的要求、又能使器件的性能得到更优化。 PlasmaPro 100 Polaris单晶圆刻蚀系统为得到更为精湛的刻蚀效果提供了智能解决方案，使您在行业中能保持竞争优势。

PlasmaPro 80 ICP是一种结构紧凑、小型且使用方便的直开式系统，可提供多种刻蚀解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺质量。直开式设计允许快速的进行晶圆装卸，是科学研究、原型设计和少量生产的理想选择。 该设备通过优化了的电极冷却技术和出色的衬底温度控制来实现高度稳定的工艺结果。