Quantum Information Processing

PlasmaPro 100 ALE为下一代半导体器件提供精确的刻蚀工艺控制。该系统专为GaN HEMT应用的凹槽刻蚀和纳米尺度层刻蚀等工艺而设计，其数字/循环刻蚀工艺可提供低损伤、光滑的表面。 数字/周期性刻蚀工艺 - 刻蚀领域的原子层沉积(ALD)等效工艺 低损伤 平滑的刻蚀表面 卓越的刻蚀深度控制 非常适用于纳米尺度层刻蚀（例如2D材料） …

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE系统利用高密度电感耦合等离子体实现快速刻蚀速率。该工艺模块可提供出色的均匀性、高吞吐量、高精度和低损伤工艺，适用于最大尺寸为200毫米的晶圆，支持包括GaAs和InP激光光电子、SiC和GaN电力电子/射频以及MEMS和传感器在内的多个市场领域。

单晶圆刻蚀技术的进展 凭借在蚀刻GaN，SiC和蓝宝石等材料方面的丰富经验，我们的技术既能够满足性价比的要求、又能使器件的性能得到更优化。 PlasmaPro 100 Polaris单晶圆刻蚀系统为得到更为精湛的刻蚀效果提供了智能解决方案，使您在行业中能保持竞争优势。

设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下，生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。

This ICPCVD process module is designed to produce high quality films at low growth temperatures, enabled through high-density remote plasmas that achieves superior film quality with…

FlexAL系统可提供远程等离子体原子层沉积（ALD），这为纳米结构和器件的工程设计提供了一系列新的灵活性和可行性。

PlasmaPro 100 RIE模式可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺。