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PlasmaPro 100 ALE

PlasmaPro 100 ALE为下一代半导体器件提供精确的刻蚀工艺控制。该系统专为GaN HEMT应用的凹槽刻蚀和纳米尺度层刻蚀等工艺而设计,其数字/循环刻蚀工艺可提供低损伤、光滑的表面。

  • 数字/周期性刻蚀工艺 - 刻蚀领域的原子层沉积(ALD)等效工艺
  • 低损伤
  • 平滑的刻蚀表面
  • 卓越的刻蚀深度控制
  • 非常适用于纳米尺度层刻蚀(例如2D材料)
  • 适用于广泛的工艺和应用领域


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随着层次变得更薄,以满足下一代半导体器件的需求,需要更加精确的工艺控制来创建和操控这些层次。PlasmaPro 100 ALE通过增强 Cobra ICP平台的原子层刻蚀专用硬件,实现了这一目标。

  • 通过腔室中均匀的高传导路径向基底输送反应性粒子-可在保持低压的同时使用高气体流量
  • 可变高度电极 - 利用等离子体的三维特性,可以容纳最多10毫米厚的基板,并保持最佳高度
  • 宽温度范围电极(-150°C至+400°C),可以通过液氮、流体再循环冷却装置或电阻加热冷却 - 可选配吹出和流体交换装置,实现模式切换过程自动化
  • 由再循环冷却器装置提供的流体控制电极 - 极佳的基底温度控制
  • 由RF供电的喷淋头,具备优化的气体传递 - 提供均匀的等离子体加工,LF/RF切换可精确控制薄膜应力
  • ICP源尺寸可选65毫米、180毫米、300毫米 - 实现高达200毫米晶圆的工艺均匀性
  • 高抽气能力 - 提供广泛的工艺压力窗口
  • 带有He背面冷却功能的晶片夹持 – 实现最佳晶片温度控制
  • 用于功率电子器件和射频器件的低损伤p-GaN HEMT和凹栅MISHEMT刻蚀
  • 二维材料图案化/薄化
  • 纳米结构的 SiO2, Si, SiN
  • III-V材料
  • 固体激光器 InP刻蚀
  • VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
  • 用于高亮度LED生产的硬掩膜沉积和刻蚀
  • SiO2和石英刻蚀
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PlasmaPro 100 ALE & Etchpoint

氮化镓(GaN)在功率电子和射频应用中提供更高的击穿强度、更快的开关速度和更高的热传导性能。为了支持可靠的GaN HEMT器件的大规模制造,牛津仪器与LayTec合作开发并优化了一种新的刻蚀深度监测解决方案,以可靠地制造GaN HEMT器件结构。

PlasmaPro 100 ALE与Etchpoint®系统提供低损伤刻蚀,具有卓越的目标刻蚀深度准确性,适用于p-GaN HEMTs和凹槽栅MISHEMTs等器件。Etchpoint完全集成到PlasmaPro 100 ALE系统的硬件和软件中,为GaN和AlGaN的刻蚀层深度提供无与伦比的准确性。

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全球客户支持

牛津仪器致力于提供全面、灵活和可靠的全球客户支持。我们在系统的整个生命周期内提供卓越的质量服务。

  • 远程诊断软件提供快速且简便的故障诊断和解决方案。
  • 支持合同可根据预算和实际情况进行定制。
  • 我们在战略位置设有全球备件库,以便快速响应。
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新功能:PTIQ软件

PTIQ是用于PlasmaPro和Ionfab加工设备的最新智能软件解决方案。

● 灵敏的系统控制水平

● 优化系统和工艺性能

● 提供不同级别的软件以满足您的需求

● 全新的直观布局和设计

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升级/配件

气体储存舱(Gas pod):包括额外的气体管路,提供更大的灵活性。

Logviewer 软件:数据记录软件,允许实时绘图和运行后的分析。

光学终点检测器:用于实现最佳工艺结果的重要工具。

软泵(Soft pump):用于缓慢地抽真空室。

分子泵(Turbomolecular vacuum pump):提供卓越的抽真空速度和更高的吞吐量

X20控制系统:提供未来的、灵活的、可靠的工具,具有增强的系统智能。

Advanced Energy Paramount发生器:提供更高的可靠性和更稳定的等离子体。

自动压力控制:可确保非常快速和准确的压力控制。

双CM(电容式)压力表切换:通过单一的压力控制阀,提供利用两个不同范围电容式压力计的能力。

LN2自动切换装置:实现冷却液自动在液氮(LN2)和冷却器流体之间的切换。

宽温度范围电极:通过重要的设计改进,以提高工艺性能。

相关应用

量子信息处理光发射装置制造和表征生物微机电制造
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