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随着层次变得更薄，以满足下一代半导体器件的需求，需要更加精确的工艺控制来创建和操控这些层次。PlasmaPro 100 ALE通过增强 Cobra ICP平台的原子层刻蚀专用硬件，实现了这一目标。
氮化镓（GaN）在功率电子和射频应用中提供更高的击穿强度、更快的开关速度和更高的热传导性能。为了支持可靠的GaN HEMT器件的大规模制造，牛津仪器与LayTec合作开发并优化了一种新的刻蚀深度监测解决方案，以可靠地制造GaN HEMT器件结构。
PlasmaPro 100 ALE与Etchpoint®系统提供低损伤刻蚀，具有卓越的目标刻蚀深度准确性，适用于p-GaN HEMTs和凹槽栅MISHEMTs等器件。Etchpoint完全集成到PlasmaPro 100 ALE系统的硬件和软件中，为GaN和AlGaN的刻蚀层深度提供无与伦比的准确性。
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牛津仪器致力于提供全面、灵活和可靠的全球客户支持。我们在系统的整个生命周期内提供卓越的质量服务。
PTIQ是用于PlasmaPro和Ionfab加工设备的最新智能软件解决方案。
● 灵敏的系统控制水平
● 优化系统和工艺性能
● 提供不同级别的软件以满足您的需求
● 全新的直观布局和设计
了解更多气体储存舱（Gas pod）：包括额外的气体管路，提供更大的灵活性。
Logviewer 软件：数据记录软件，允许实时绘图和运行后的分析。
光学终点检测器：用于实现最佳工艺结果的重要工具。
软泵（Soft pump）：用于缓慢地抽真空室。
分子泵（Turbomolecular vacuum pump）：提供卓越的抽真空速度和更高的吞吐量
X20控制系统：提供未来的、灵活的、可靠的工具，具有增强的系统智能。
Advanced Energy Paramount发生器：提供更高的可靠性和更稳定的等离子体。
自动压力控制：可确保非常快速和准确的压力控制。
双CM（电容式）压力表切换：通过单一的压力控制阀，提供利用两个不同范围电容式压力计的能力。
LN2自动切换装置：实现冷却液自动在液氮（LN2）和冷却器流体之间的切换。
宽温度范围电极：通过重要的设计改进，以提高工艺性能。
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