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二维材料处于薄膜尺寸的极限，厚度可以降至一个原子层。这些材料展示出了极佳的电学和光电特性。今天的研究人员正试图利用这些特性开发应用于电子学、光电子学和能源的下一代新型器件。
石墨烯开启了对这些超薄材料的探索和应用，同时也为氮化物(hBN)和过渡金属卤化物(如MoS2、WSe2)等其他二维材料的探索和应用开辟了广阔的领域。虽然这些材料能够在自然界中找到，并且可从大块晶体中剥离出来，但基于化学气相沉积的生长技术使未来研发的器件易于规模化生产。
下载产品手册标注为橙色的工艺显示了牛津仪器技术所涵盖的解决方案。
二维材料具有极佳的电学和光电特性，目前研究人员正致力于将其开发成为下一代新型器件，应用于电子学、光电子学和柔性器件等领域。
二维材料在各个方面都有其应用价值。根据应用领域的不同，比如可针对晶体管设计出具有高迁移率的单层材料，或面向催化应用(如分裂水)来设计多方向的多层材料。
牛津仪器等离子体技术公司长期致力于广泛的工艺研发，从高温CVD到低温ALD工艺，均拥有丰富的开发经验。
本工艺适用于通过化学气相沉积(CVD)获得的石墨烯。
数据通信用石墨烯电光调制器
本工艺适用于通过化学气相沉积（CVD）获得的氮化硼。为了进行工艺演示，以B2H6作为硼源，NH3为氮源，Cu/Ni箔为催化衬底。
我们提供配备前驱气体传送模块的PECVD系统，用于生长MoS2、WS2等二维材料层。
出色的厚度控制，且缺陷少、光致发光强
高质量MoS2:
利用等离子体增强型化学气相沉积法在电介质衬底上直接生长纳米晶体石墨烯。
二维MoS2-石墨烯异质结构的原位生长
我们提供配备前驱气体传送模块的CVD/PECVD/远程等离子体（ICP）CVD系统，用于二维多层材料生长以及石墨烯、MoS2、WS2等材料的异质结构生长。
包括三个工艺步骤：
欲了解更多信息，请立即与我们的专家联系。
了解更多信息针对二维材料的原子层沉积方法，牛津仪器FlexAL系统可以进行特殊配置，以提供二维过渡金属卤化物（例如MoS2）的生长工艺。FlexAL是生长用于硫化的金属氧化物种子层，高k电介质沉积，表面预处理和二维材料封装的理想选择。
了解更多FlexAL的信息！
FlexAL ALD 系统 适用于除石墨烯以外的多种二维材料。
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