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我们为金刚石量子应用提供一系列刻蚀（ICP刻蚀；RIE）和沉积（ALD；PECVD）解决方案。其中包括减薄金刚石以改善对NV色心的操控，以及构造金刚石以实现量子信息和传感领域的新应用。
我们提供三种量子金刚石制备解决方案：
采用三步RIE工艺，使NV色心更接近表面，同时通过氧端修饰提供额外的保护，从而实现量子信息的改进操作或存储。
1）各向同性颗粒去除
2）金刚石大块刻蚀，在 NV 色心几微米范围内精确停止
3）表面氧端修饰以提高NV色心的稳定性
三步RIE工艺，可制造出无缺陷、光滑的带氧端面的金刚石表面。
将光子晶体、纳米腔体和波导与量子发射体耦合，以改善光子产生、提高光提取效率并实现量子信息的远距离传输。
光机械微盘谐振器可增强自旋-光子耦合，实现更灵活的量子信息操作，并为各种量子平台提供接口。
金刚石中的光子晶体（图片来源：S. Bogdanovic，TU Delft）
我们的PlasmaPro 100平台能够实现对各种材料的高精度沉积和刻蚀，以满足量子器件的需求。FlexAL原子层沉积（ALD）系统可提供一系列经过优化的高质量ALD工艺。
我们的PlasmaPro 100 RIE能够快速刻蚀大块材料，同时确保表面可控、无残留/污染，表面粗糙度极低（通常低于3A），以限制噪声和光学损耗，同时采用氧端修饰为浅层量子比特提供额外保护。
我们为当今的量子技术研发和器件开发中的各种方法提供了关键的加工解决方案，以解决各种器件制造挑战。
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