光子集成电路解决方案，助力量子领域探索

利用偏压通过等离子体ALD沉积超导氮化铌薄膜，将其应用于超导纳米线单光子探测器 (SNSPD)

• 所需膜厚：<30 nm
• ALD技术能够精确沉积超导薄膜，具有高临界温度（T_c），良好的厚度均匀性和出色的化学计量控制
• 表面偏置电压可实现应力控制，以获得最低的室温电阻率
• 低室温电阻率与更高的临界温度相关
• 在牛津仪器实验中测得12.9 K的临界温度

• 室温电阻率ρ = 139 µΩcm，临界温度Tc = 12.9 K
• 用于在250°C下沉积的约30 nm NbN薄膜

硅氮化物（Si3N4）是非常有前景的低损耗光学元件候选材料之一。

在应用于波导的Si₃N₄沉积中，一个最主要的挑战是薄膜中的氢含量，其通常来自前驱体，会导致光学损耗。

因此，我们开发了一种高温等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺，该工艺氢浓度低，并能够实现增强的应力控制以及更高的沉积速率。因此高温PECVD的Si₃N₄特别适用于制备低损耗光学元件。

其他方法包括使用SiCl₄的ICP CVD或在我们的PlasmaPro 100 Nano系统中在1000°C以上的温度下进行原位退火的低温ICP CVD（最高温度：1200°C）。

• 高温和不含NH₃的Si₃N₄ PECVD（800°C），可实现对折射率、应力和增强沉积速率的良好控制
• 使用SiCl₄工艺进行不含SiH₄的ICP CVD 制备Si₃N₄
• 低温SiN的ICP CVD