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Ionfab Ion Beam

牛津仪器离子束刻蚀(IBE)及沉积(IBD)系统是加工高质量材料的热门选择。我们的系统具有灵活的硬件选项,包括开放式装载、单晶圆load-lock和腔对腔自动装载系统等。系统的技术条件可根据应用进行针对性调整,从而实现更快、高度可重复的工艺结果。

  • 功能模块多样化

  • 提供多种等离子刻蚀及沉积集群系统

  • 单晶圆load-lock或腔对腔自动装载

  • 双离子束配置

  • 极低的薄膜粗糙度

  • 市场领先的制备均匀性和工艺可重复性

  • 高精度终点探测技术—SIMS,光发射光谱学

  • 超低污染的高质量薄膜

  • 高产率、系统空间紧凑以及低运行成本

  • 专利高速基板支架(最高500转/分钟)

  • 精准的原位光学薄膜控制


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离子束技术借助单一工具并最大程度地提高系统利用率,提供了一种极为灵活的刻蚀方法。离子束刻蚀为用户提供最高水平的工艺灵活性和出色的均匀性。

我们的IBE系统具有灵活的硬件选项,包括开腔式装载、单晶圆load-lock和腔对腔自动装载系统。系统的技术条件可根据应用进行针对性调整,从而实现更快、高度可重复的工艺结果。

主要优势

  • 可灵活配置用于先进研究应用
  • 出色的制备均匀性和工艺重复性
  • 灵活的晶圆处理能力—单晶圆load-lock或腔对腔自动装载

硬件特征

晶圆尺寸 100 mm 200 mm
PF刻蚀离子源 15 cm 30 cm
基板旋转速度 最高至20转/分钟
基板倾斜角度 水平方向-90°至+65°基板朝向下
压盘温度 10°C至300°C(制冷或加热配置下)

主要应用

  • 倾斜结构刻蚀
  • 激光器端面刻蚀
  • 磁阻随机访问存储器(MRAM)
  • 介电薄膜
  • III-V族光子学材料刻蚀
  • 自旋电子学
  • 金属接触与链路
  • 超导体

 

离子束刻蚀模块

  • 离子束刻蚀(IBE)/离子铣
  • 反应离子束刻蚀(RIBE)
  • 化学辅助离子束刻蚀(CAIBE)

想了解更多IBE刻蚀系统Ionfab?

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离子束技术借助单一工具并最大程度地提高系统利用率,提供了一种极为灵活的刻蚀/沉积方法。牛津仪器离子束沉积系统因其能够提供高质量、致密和表面光滑的沉积薄膜,而成为用户理想的选择。

我们的系统为用户提供灵活的硬件选择,包括开放式装载、单晶圆load-lock以及腔对腔自动装载。系统的技术条件可根据应用进行针对性调整,从而实现更快、高度可重复的工艺结果。

主要优势

  • 超低污染、高质量薄膜
  • 高产率、系统空间紧凑以及低运行成本
  • 出色的批次均匀性和工艺可重复性
  • 光学薄膜厚度可精准控制
  • 极低的表面粗糙度

硬件特征

晶圆尺寸 100 mm 200 mm
沉积离子源 15 cm 15 cm
基板旋转速度 最高至20转/分钟
基板倾斜角度 水平方向-90°至+65°基板朝向下
压盘温度 10°C至300°C(制冷或加热配置下)

主要应用

  • 激光器端面涂层(包括高反射和消反射层)
  • 环形激光陀螺镜
  • X射线光学
  • II-VI族红外(IR)传感器
  • 红外传感器(氧化钒基,II-VI基)
  • 光通信滤波器

离子束沉积模块

  • 离子束溅射沉积(IBSD)
  • 离子辅助溅射沉积(IASD)
  • 反应离子束沉积(RIBD)

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Ionfab标准反应腔

牛津仪器的紧凑离子束刻蚀与沉积系统,专为灵活的科研及中试生产而设计,配备了两个(15cm)离子源,用于刻蚀或沉积工艺。这使其非常适合在最大200 mm的晶圆上进行沉积,并为最大100 mm的晶圆提供成熟的刻蚀工艺。

Ionfab大型反应腔

它具有与标准系统大致相同的占地面积,但具有更大的工艺操作室,被设计用于处理最大200mm的晶圆,以进行成熟的刻蚀和沉积工艺。该系统配有30cm刻蚀离子源,具有出色的刻蚀均匀性和优异的工艺稳定性,使其成为中试及大规模生产的理想选择。

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全球客户支持

牛津仪器致力于提供全方位、灵活及可靠的全球客户支持服务。我们将为您所拥有的系统在其整个运行周期中持续提供优质的服务。

  • 远程诊断软件提供快速便捷的故障诊断和解决方案
  • 根据预算和实际需求制定个性化服务支持
  • 在战略位置储备全球备件,以便快速响应

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