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离子束技术借助单一工具并最大程度地提高系统利用率，提供了一种极为灵活的刻蚀方法。离子束刻蚀为用户提供最高水平的工艺灵活性和出色的均匀性。
我们的IBE系统具有灵活的硬件选项，包括开腔式装载、单晶圆load-lock和腔对腔自动装载系统。系统的技术条件可根据应用进行针对性调整，从而实现更快、高度可重复的工艺结果。
| 晶圆尺寸 | 100 mm | 200 mm | |||||||||
| PF刻蚀离子源 | 15 cm | 30 cm | |||||||||
| 基板旋转速度 | 最高至20转/分钟 | ||||||||||
| 基板倾斜角度 | 水平方向-90°至+65°基板朝向下 | ||||||||||
| 压盘温度 | 10°C至300°C（制冷或加热配置下） | ||||||||||
想了解更多IBE刻蚀系统Ionfab？
联系我们离子束技术借助单一工具并最大程度地提高系统利用率，提供了一种极为灵活的刻蚀/沉积方法。牛津仪器离子束沉积系统因其能够提供高质量、致密和表面光滑的沉积薄膜，而成为用户理想的选择。
我们的系统为用户提供灵活的硬件选择，包括开放式装载、单晶圆load-lock以及腔对腔自动装载。系统的技术条件可根据应用进行针对性调整，从而实现更快、高度可重复的工艺结果。
| 晶圆尺寸 | 100 mm | 200 mm | |||||||||
| 沉积离子源 | 15 cm | 15 cm | |||||||||
| 基板旋转速度 | 最高至20转/分钟 | ||||||||||
| 基板倾斜角度 | 水平方向-90°至+65°基板朝向下 | ||||||||||
| 压盘温度 | 10°C至300°C（制冷或加热配置下） | ||||||||||
想了解更多IBD刻蚀系统Ionfab？
联系我们牛津仪器的紧凑离子束刻蚀与沉积系统，专为灵活的科研及中试生产而设计，配备了两个（15cm）离子源，用于刻蚀或沉积工艺。这使其非常适合在最大200 mm的晶圆上进行沉积，并为最大100 mm的晶圆提供成熟的刻蚀工艺。
它具有与标准系统大致相同的占地面积，但具有更大的工艺操作室，被设计用于处理最大200mm的晶圆，以进行成熟的刻蚀和沉积工艺。该系统配有30cm刻蚀离子源，具有出色的刻蚀均匀性和优异的工艺稳定性，使其成为中试及大规模生产的理想选择。
牛津仪器致力于提供全方位、灵活及可靠的全球客户支持服务。我们将为您所拥有的系统在其整个运行周期中持续提供优质的服务。
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