Fabrication and Characterisation of Light Emitting Devices

大面积刻蚀与沉积的量产型解决方案

离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统配置与实际应用紧密协调，以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。

客户选择我们的离子束沉积产品是因为它们能够生产具有高质量，致密和表面光滑的沉积薄膜。离子束技术提供了一种多样的刻蚀和沉积的方法，并可在同一设备上实现， 因而提高系统的利用率。我们的设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统规格与实际应用紧密协调，以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。

PlasmaPro 80是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是科学研究、原型设计和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高性能工艺。

PlasmaPro 80 ICP是一种结构紧凑、小型且使用方便的直开式系统，可提供多种刻蚀解决方案。 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺质量。直开式设计允许快速的进行晶圆装卸，是科学研究、原型设计和少量生产的理想选择。 该设备通过优化了的电极冷却技术和出色的衬底温度控制来实现高度稳定的工艺结果。

This ICPCVD process module is designed to produce high quality films at low growth temperatures, enabled through high-density remote plasmas that achieves superior film quality with…

PlasmaPro 100 RIE模式可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺。

PlasmaPro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。

用于生长1D / 2D纳米材料和异质结构的CVD / PECVD工具。 PlasmaPro 100 Nano通过在线催化剂活化和严格的工艺控制，实现纳米材料的高性能生长。

PlasmaPro 80是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究、原型设计和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高性能工艺。

PlasmaPro 800系列是结构紧凑、且使用方便的直开式系统，该系统为大批量晶圆和300mm晶圆上的反应离子蚀刻（RIE）工艺提供了灵活的解决方案。大尺寸的晶圆平台能够处理量产级别的批量以及300mm晶圆的工艺。

PlasmaPro 800 为大批量晶圆和 300mm 晶圆的等离子增强化学气相沉积 （PECVD） 工艺提供了灵活的解决方案，它采用了紧凑的开放式装载系统。可实现大型晶圆大规模的批量生产和 300mm 晶圆处理。

PlasmaPro 100 ALE为下一代半导体器件提供精确的刻蚀工艺控制。该系统专为GaN HEMT应用的凹槽刻蚀和纳米尺度层刻蚀等工艺而设计，其数字/循环刻蚀工艺可提供低损伤、光滑的表面。 数字/周期性刻蚀工艺 - 刻蚀领域的原子层沉积(ALD)等效工艺 低损伤 平滑的刻蚀表面 卓越的刻蚀深度控制 非常适用于纳米尺度层刻蚀（例如2D材料） …

牛津仪器离子束刻蚀（IBE）及沉积（IBD）系统是加工高质量材料的热门选择。我们的系统具有灵活的硬件选项，包括开放式装载、单晶圆load-lock和腔对腔自动装载系统等。系统的技术条件可根据应用进行针对性调整，从而实现更快、高度可重复的工艺结果。

单晶圆刻蚀技术的进展 凭借在蚀刻GaN，SiC和蓝宝石等材料方面的丰富经验，我们的技术既能够满足性价比的要求、又能使器件的性能得到更优化。 PlasmaPro 100 Polaris单晶圆刻蚀系统为得到更为精湛的刻蚀效果提供了智能解决方案，使您在行业中能保持竞争优势。

设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下，生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。

FlexAL系统可提供远程等离子体原子层沉积（ALD），这为纳米结构和器件的工程设计提供了一系列新的灵活性和可行性。