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原子层沉积(ALD)是一种先进的沉积技术，它允许以精确控制的方式沉积仅几个纳米的超薄薄膜。ALD不仅展现出优异的厚度控制能力和出色的均匀性，而且针对高深宽比三维结构提供保形涂层沉积技术。
除了拥有热ALD的优势外，等离子ALD还为用户提供更广泛的前驱体选择，以及更高的薄膜质量。它提供：
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针对高深宽比（15:1）结构的快速等离子ALD-SiO2保形涂层沉积。
采用FlexAL.系统的远程等离子ALD在深宽比为~10的2.5mm沟道中沉积80nm Al2O3薄膜。
ALD工艺腔室示意图
牛津仪器FlexAL原子层沉积系统涵盖一系列经优化的高质量等离子ALD和热ALD工艺。可在单一工艺腔情况下，最大程度地为用户提供前驱体、工艺气体和硬件配置灵活性。
Atomfab系统专门针对大批量制造而设计，为GaN功率器件和RF设备提供快速、低损伤、低拥有成本的等离子ALD工艺。
Atomfab系统可针对纳米尺度高精尖应用提供可精确控制的超薄薄膜，并为敏感基底结构提供保形涂层沉积技术。
原子层刻蚀（ALE）是一种能够针对纳米尺度结构进行出色的深度控制的先进刻蚀技术。随着器件特征尺寸的不断减小，也进一步要求ALE达到最佳性能所需的精度。
基于等离子体的原子层刻蚀通过气体注入和离子轰击来逐层去除材料，它是一种循环刻蚀过程，具有以极低的损伤去除单个原子层的潜力。
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ALE对25nm宽的硅槽刻蚀110nm深后，HSQ掩模仍有剩余。
PlasmaPro 100 ALE为下一代半导体器件材料刻蚀提供精确的工艺控制。
该系统的数字化/循环刻蚀工艺专门针对GaN HEMT应用的凹槽刻蚀和纳米层刻蚀等工艺而设计，为其提供低损伤、光滑的刻蚀表面。
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