卓越的离子束刻蚀工艺解决方案

离子束技术借助单一工具并最大程度地提高系统利用率，提供了一种极为灵活的刻蚀方法。离子束刻蚀为用户提供最高水平的工艺灵活性和出色的均匀性。

离子束刻蚀（或离子铣）是通过在高真空腔中利用具有一定图案的掩模将带电粒子（离子）束定向引导至衬底上来实现。它使高方向性的中性离子束能够控制侧壁轮廓，优化纳米图案化过程中的径向均匀性和结构形貌。

倾斜结构可以通过倾斜样品以改变离子束的撞击方向这一独特能力来实现。

牛津仪器离子束系统Ionfab可配置用于刻蚀（IBE）和沉积（IBD）技术。

IBE的主要优势：

• 允许独立控制离子束能量和离子流密度
• 在低压工作环境中运行
• 各向异性刻蚀
• 提供所有已知材料的刻蚀方案
• 借助刻蚀离子束的角度可操控性（相对于样品/掩模表面），实现倾斜轮廓控制

除了IBE技术，牛津仪器还提供离子束沉积（IBD）工艺解决方案。

离子束沉积技术是一种多功能、高度灵活的薄膜沉积技术，为用户提供可靠、高质量和高性能的涂层沉积，在红外器件和高功率激光器中有着广泛的应用。

牛津仪器Ionfab离子束系统同时具备IBE和IBD技术。