光学终点检测器 - 牛津仪器

终点检测器是保证卓越工艺结果的重要工具。

即刻升级，提前获取以下优势：

提高设备可用性和生产率
降低拥有成本
减少过度清洁，延长腔室组件的使用寿命
实时腔室清洁和终点检测功能
通过防止过度清洗来减少粉尘，从而提高工艺成品率

光学发射光谱分析

采用光电发射光谱仪监测等离子体发出的光线。
通过测量特定波长处的光量来相对测量特定元素的浓度。通过测量氟的发射强度来确定腔室内等离子体清洁的终点。
由于刻蚀过程会消耗氟，因此清洁期间的氟浓度很低，但当腔室壁被清洁干净时，其浓度会在达到刻蚀终点时急剧上升。
用于检测PECVD腔室清洁终点的典型装置如下：

CCD1光谱仪套件（波长范围为200-850 nm的光谱仪），可提供完整的光谱分析能力，可检测腔室清洁终点和工艺终点，例如通过比照当前和参考图谱来协助工艺排故。
固定波长的PM140套件（704nm），专为腔室清洁终点检测而设计。

适用于PlasmaPro®系统的终点检测器有：80Plus，NGP80、100、800 System133，NGP1000和Plasmalab System 100

终点检测器是保证卓越工艺结果的重要工具。

即刻升级，提前获取以下优势：

可精确停止在特定层，提高产量和成品率
适用于整片晶圆或批量终点检测
可监测腔室内条件和工艺的“健康”状况
还可用于腔室清洁的终点检测

光学发射光谱分析

采用光电发射光谱仪监测等离子体发出的光线。
由于蚀刻副产物和气体元素具有独特的发射波长，因此可通过观察蚀刻到达新层时的发射变化来检测工艺终点
OES终点检测通常需要在蚀刻区域达到数平方厘米时通过等离子体检测蚀刻元素的浓度，并且受到蚀刻速率和等离子体发射强度的影响。关于典型的OES选项，请参阅下文表格。

终点检测器是保证卓越工艺结果的重要工具。

即刻升级，提前获取以下优势：

可监测蚀刻深度和终点
在层内实现精确的刻蚀深度
在多层结构内精确控制蚀刻深度
可在样品较小或无明显OES终点的情况下检测终点

激光干涉测量

激光干涉仪可测量蚀刻（或沉积）工艺中晶圆表面的反射变化，其原理是将激光聚焦于晶圆上并测量反射激光光强
采用激光干涉仪相机将反射信号和晶圆表面图像传输给牛津仪器的系统计算机，以此确保激光正确对准。
可通过监测反射信号的干涉纹波（每个干涉周期= λ/2n）的到达速率来计算蚀刻（或沉积）速率，以确保精确控制层内刻蚀深度。它还能检测层与层之间的界面，因为这通常会导致反射突然变化。
激光干涉测量通常需要用户在每次运行之前调整激光的焦点位置（除非晶圆的特定区域专用于激光终点检测），因此通常适用于研究环境。

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