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高蚀刻速度、高选择性、低损伤加工、出色的轮廓控制。独立控制底层直流偏置
提供应用过程中化学刻蚀、等离子刻蚀和离子诱导刻蚀的既简单又经济的解决方案，包括故障分析
适用于多种薄膜 高质量钝化和高密度掩膜的成熟技术
晶体管和射频设备在纳米级结构工程中具有独特的灵活能力，并提供可集群选项
牛津仪器的原子层沉积（ALD）设备已安装在一家获奖的英国MicroLED提供商，以支持最新的消费者沉浸式现实产品和显示设备。
牛津仪器加快推动资格认证计划，2023年等离子抛光将迎来产能大提升
我们将SiC技术向前推进了一步。新的晶圆抛光技术所带来的更加清洁、环保，更具成本竞争力的市场优势，使我们拥有最强大的200毫米SiC晶圆处理能力。一旦将其与其他SiC特有工艺技术相结合，将为电动汽车和可再生能源技术革命奠定基础。
牛津仪器公司（Oxford Instruments）与其研究伙伴工业技术研究所（ITRI）共同开发了一种新的GaNHEMT器件架构，由嵌入AlGaN层的凹形绝缘栅结定义。这种新器件被称为GaN MISHEMT。
牛津仪器集团成员
公安机关备案号31010402003473
